[發明專利]一種遲滯可控的同步比較器有效
| 申請號: | 201310314235.3 | 申請日: | 2013-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN103441749A | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 袁玉湘;盧慧慧;姜學平;于坤山 | 申請(專利權)人: | 國家電網公司;國網智能電網研究院;國網河南省電力公司 |
| 主分類號: | H03K5/22 | 分類號: | H03K5/22 |
| 代理公司: | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐國文 |
| 地址: | 100031 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 遲滯 可控 同步 比較 | ||
技術領域
本發明屬于模擬集成電路領域,具體涉及一種遲滯可控的同步比較器。
背景技術
傳統的同步比較器在控制系統中有著廣泛的應用,其主要應用在控制系統,進行數據控制。傳統的帶有輸出鎖存的同步比較器如圖1所示,包括同步比較器模塊和鎖存模塊。
圖1所示的同步比較器是在基本的同步比較器電路中加上了鎖存功能。然而,這種同步比較器不包含遲滯,在控制系統中如果待比較信號幅度接近,在噪聲的影響下,比較器的輸出將會高速反轉,從而使得整個系統處于不穩定的狀態。傳統的方法如加入數字濾波器等手段,系統復雜度和功耗都會很高。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明提出一種遲滯可控的同步比較器,通過引入一組反饋回路,使得遲滯數字可控,避免了輸出過于敏感,有效的解決了傳統的同步比較器的穩定性問題。
本發明提供的一種遲滯可控的同步比較器,包括同步比較器模塊和鎖存單元;所述同步比較器模塊中,第一晶體管M1的柵極接偏置電壓Φ,源極接地;第二晶體管M2的柵極接輸入端Cp,源極接所述第一晶體管M1的漏極;第三晶體管M3的柵極接輸入端Cn,源極接所述第一晶體管M1的漏極;第四晶體管M4的源極和所述第二晶體管M2的漏極相連;第五晶體管M5的源極與所述第三晶體管M3的漏極相連;第六晶體管M6的柵極接接偏置電壓Φ,其源極接工作電壓VDD,其漏極與所述第四晶體管M4的漏極相連;第七晶體管M7的柵極接接偏置電壓Φ,其源極接工作電壓VDD,其漏極與所述第五晶體管M5的漏極相連;第八晶體管M8的柵極與所述第五晶體管M5的漏極相連,其源極接工作電壓VDD,其漏極與所述第四晶體管M4的漏極和所述第六晶體管M6的漏極相連;第九晶體管M9的柵極與所述第四晶體管M4的漏極相連,其源極接工作電壓VDD,其漏極與所述第五晶體管M5的漏極和所述第七晶體管M7的漏極相連;
所述鎖存單元中,與非門G1的第一輸入口與所述第八晶體管M8的柵極相連,其第二輸入口與輸出端子Op相連;與非門G2的第一輸入口與所述第九晶體管M9的柵極相連,其第二輸入口與輸出端子On相連;
其改進之處在于,所述同步比較器包括至少兩路的反饋模塊,其對稱設置在所述同步比較器模塊兩邊,并根據控制要求,增設所述反饋模塊的數量,實現遲滯可調的同步比較器。
其中,所述反饋模塊包括第十晶體管M11、第十一晶體管M31、第十二晶體管M41和與門A1;
所述第十晶體管M11的源極與所述第二晶體管M2的源極相連;
所述第十一晶體管M31的柵極與所述第二晶體管M2的柵極相連,其源極與所述第十晶體管M11的漏極相連,其漏極與所述第四晶體管M4的源極相連;
所述第十二晶體管M41的柵極接接偏置電壓Φ,其源極接工作電壓VDD,其漏極與所述第十一晶體管M31的漏極相連;
所述與門A1的第一輸入口與控制信號Hc1相連,其第二輸入口與所述輸出端子Op相連,其輸出口與所述第十晶體管M11的柵極相連。
其中,所述第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3、第四晶體管M4、第五晶體管M5、第十晶體管M11和第十一晶體管M31均為NMOS晶體管。
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