[發明專利]一種遲滯可控的同步比較器有效
| 申請號： | 201310314235.3 | 申請日： | 2013-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN103441749A | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發明（設計）人： | 袁玉湘;盧慧慧;姜學平;于坤山 | 申請（專利權）人： | 國家電網公司;國網智能電網研究院;國網河南省電力公司 |
| 主分類號： | H03K5/22 | 分類號： | H03K5/22 |
| 代理公司： | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 100031 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 遲滯 可控 同步 比較 | ||
1.一種遲滯可控的同步比較器，包括同步比較器模塊和鎖存單元；所述同步比較器模塊中，第一晶體管M1的柵極接偏置電壓Φ，源極接地；第二晶體管M2的柵極接輸入端Cp，源極接所述第一晶體管M1的漏極；第三晶體管M3的柵極接輸入端Cn，源極接所述第一晶體管M1的漏極；第四晶體管M4的源極和所述第二晶體管M2的漏極相連；第五晶體管M5的源極與所述第三晶體管M3的漏極相連；第六晶體管M6的柵極接接偏置電壓Φ，其源極接工作電壓VDD，其漏極與所述第四晶體管M4的漏極相連；第七晶體管M7的柵極接接偏置電壓Φ，其源極接工作電壓VDD，其漏極與所述第五晶體管M5的漏極相連；第八晶體管M8的柵極與所述第五晶體管M5的漏極相連，其源極接工作電壓VDD，其漏極與所述第四晶體管M4的漏極和所述第六晶體管M6的漏極相連；第九晶體管M9的柵極與所述第四晶體管M4的漏極相連，其源極接工作電壓VDD，其漏極與所述第五晶體管M5的漏極和所述第七晶體管M7的漏極相連；
所述鎖存單元中，與非門G1的第一輸入口與所述第八晶體管M8的柵極相連，其第二輸入口與輸出端子Op相連；與非門G2的第一輸入口與所述第九晶體管M9的柵極相連，其第二輸入口與輸出端子On相連；
其特征在于，所述同步比較器包括至少兩路的反饋模塊，其對稱設置在所述同步比較器模塊兩邊，并根據控制要求，增設所述反饋模塊的數量，實現遲滯可調的同步比較器。
2.如權利要求1所述的同步比較器，其特征在于，所述反饋模塊包括第十晶體管M11、第十一晶體管M31、第十二晶體管M41和與門A1；
所述第十晶體管M11的源極與所述第二晶體管M2的源極相連；
所述第十一晶體管M31的柵極與所述第二晶體管M2的柵極相連，其源極與所述第十晶體管M11的漏極相連，其漏極與所述第四晶體管M4的源極相連；
所述第十二晶體管M41的柵極接接偏置電壓Φ，其源極接工作電壓VDD，其漏極與所述第十一晶體管M31的漏極相連；
所述與門A1的第一輸入口與控制信號Hc1相連，其第二輸入口與所述輸出端子Op相連，其輸出口與所述第十晶體管M11的柵極相連。
3.如權利要求2所述的同步比較器，其特征在于，所述第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3、第四晶體管M4、第五晶體管M5、第十晶體管M11和第十一晶體管M31均為NMOS晶體管。
4.如權利要求2所述的同步比較器，其特征在于，所述第六晶體管M6、第七晶體管M7、第八晶體管M8、第九晶體管M9和第十二晶體管M41均為PMOS晶體管。
5.如權利要求1-4所述的同步比較器，其特征在于，反饋模塊中，所述與門A1作為反饋開關，由所述第十晶體管M11和第十二晶體管M41提供偏置電平，第十一晶體管M31控制遲滯閾值。
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