[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310314225.X
• 申請(qǐng)日: 2013-07-24
• 公開（公告）號(hào): CN103413812A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李婧;劉芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板及位于所述襯底基板之上的多個(gè)薄膜晶體管單元，其中，

所述薄膜晶體管單元包括：位于所述襯底基板之上的第一柵極，位于所述第一柵極之上的柵極絕緣層，與所述第一柵極同層設(shè)置的源極，位于所述源極之上的有源層，位于有源層之上的漏極，所述第一柵極和所述源極之間設(shè)置有所述柵極絕緣層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：位于所述襯底基板之上的縱橫交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，其中，所述數(shù)據(jù)線包括：與所述柵線同層設(shè)置的且與所述柵線相絕緣的第一數(shù)據(jù)線區(qū)域，位于所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)域上方且連接相鄰的所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)域的第二數(shù)據(jù)線區(qū)域，所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)域與所述柵線在正投影方向上部分重疊；

所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)域和所述柵線之上設(shè)置有柵極絕緣層，所述柵極絕緣層對(duì)應(yīng)于所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)域的部分設(shè)置有第一過(guò)孔，所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)域位于所述柵極絕緣層之上、通過(guò)所述第一過(guò)孔將相鄰的所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)域電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述源極、所述第一柵極、所述柵線、所述數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)線區(qū)域同層設(shè)置，所述漏極與所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)域位于同一圖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管單元上方設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層與所述漏極一體成型；

所述漏極和所述第一透明導(dǎo)電層上方設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層上方設(shè)置有第二透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層至少有部分與第二透明導(dǎo)電層重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括：位于所述襯底基板之上的多個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元，其中，所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元包括：位于所述襯底基板之上的第二柵極，位于所述第二柵極之上的導(dǎo)電引線，所述第一柵極和第二柵極同層設(shè)置，所述導(dǎo)電引線與所述漏極位于同一圖層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電引線的部分設(shè)置有第二過(guò)孔，所述第二透明導(dǎo)電層通過(guò)所述第二過(guò)孔與導(dǎo)電引線電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層為板狀或狹縫電極，所述第二透明導(dǎo)電層為狹縫電極。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板。

9.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括形成多個(gè)薄膜晶體管單元的步驟：

步驟S11、在襯底基板上形成包括第一柵極和源極的圖形，所述第一柵極和源極同層形成；

步驟S12、在步驟S11形成的圖形之上形成包括柵極絕緣層的圖形，在源極之上形成包括有源層的圖形，其中，所述柵極絕緣層形成在所述第一柵極上方、第一柵極和源極圖形之間；

步驟S13、在步驟S12形成的有源層之上形成包括漏極的圖形。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，還包括形成數(shù)據(jù)線和柵線的步驟：

步驟S11中在襯底基板上同層形成包括第一柵極、源極、柵線、數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)線區(qū)域的圖形；

步驟S12中在柵極絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)域形成第一過(guò)孔；

步驟S13中同層形成包括漏極、所述數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線區(qū)域的圖形，所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)域通過(guò)所述第一過(guò)孔將相鄰的第一數(shù)據(jù)線區(qū)域電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的制備方法，其特征在于，步驟S13中同層形成包括漏極和第一透明導(dǎo)電層的圖形。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，還包括：

步驟S14、在步驟S13的圖形之上依次形成包括鈍化層的圖形和包括第二透明導(dǎo)電層的圖形。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，還包括形成多個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元的步驟：

步驟S11中在襯底基板上同層形成包括第一柵極、源極、柵線、數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)線區(qū)域、第二柵極的圖形；

步驟S13中同層形成包括漏極、第一透明導(dǎo)電層、所述數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線區(qū)域及導(dǎo)電引線的圖形。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S14中鈍化層對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電引線的部分設(shè)置有第二過(guò)孔，所述第二透明導(dǎo)電層通過(guò)所述第二過(guò)孔與導(dǎo)電引線電連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其特征在于，所述包括多個(gè)薄膜晶體管單元、柵線和數(shù)據(jù)線、多個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元的陣列基板采用五次掩膜工藝完成，具體為：

在襯底基板上依次形成金屬薄膜和半導(dǎo)體薄膜，通過(guò)第一次掩膜工藝刻蝕形成包括所述薄膜晶體管單元的第一柵極、源極和有源層、柵線、所述數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)線區(qū)域以及陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元的第二柵極的圖形；

形成第一絕緣薄膜，通過(guò)第二次掩膜工藝刻蝕形成包括柵極絕緣層的圖形，所述柵極絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一數(shù)據(jù)線區(qū)域形成第一過(guò)孔；

形成第一透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第三次掩膜工藝刻蝕形成包括薄膜晶體管單元的漏極和第一透明導(dǎo)電層、所述數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)線區(qū)域以及陣列基板行驅(qū)動(dòng)單元的導(dǎo)電引線的圖形，所述第二數(shù)據(jù)線區(qū)域通過(guò)所述第一過(guò)孔將相鄰的第一數(shù)據(jù)線區(qū)域電連接；

形成第二絕緣薄膜，通過(guò)第四次掩膜工藝刻蝕形成包括鈍化層的圖形，所述鈍化層對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電引線的部分設(shè)置有第二過(guò)孔；

形成第二透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)第五次掩膜工藝刻蝕形成包括第二透明導(dǎo)電層的圖形，所述第二透明導(dǎo)電層通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述導(dǎo)電引線電連接。