[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310314041.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103824873B | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金英一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋穎娉;康泉 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光 顯示 設(shè)備 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,包括:
薄膜晶體管,位于底板上,并且包括半導(dǎo)體層、柵電極、源電極和漏電極;以及
有機(jī)發(fā)光二極管,包括連接至所述漏電極的第一電極、位于所述第一電極上的有機(jī)層以及位于所述有機(jī)層上的第二電極,
其中所述漏電極具有比所述第一電極大的面積,
其中所述第一電極包括透明導(dǎo)電氧化物,并且所述漏電極被配置為反射光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述有機(jī)層的與所述第一電極接觸所述漏電極的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一部分的厚度,比所述有機(jī)層的與所述第一電極不接觸所述漏電極的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第二部分的厚度小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述第一電極的表面電阻為從10Ω/cm2到300Ω/cm2。
4.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,包括:
位于底板上且包括源區(qū)和漏區(qū)的半導(dǎo)體層;
位于所述半導(dǎo)體層上且與所述半導(dǎo)體層絕緣的柵電極;
連接至所述源區(qū)的源電極以及連接至所述漏區(qū)的漏電極;
具有暴露所述漏電極的第一開口的鈍化層;
第一電極,連接至所述漏電極,布置在所述第一開口處和所述鈍化層上,并且包括第一部分和第二部分;
像素限定層,具有暴露所述第一電極的一部分的第二開口;
位于所述第一電極上的有機(jī)層;以及
位于所述有機(jī)層上的第二電極,
其中所述第一電極的所述第一部分位于通過(guò)所述第一開口暴露的所述漏電極上以形成與所述漏電極的接觸,
其中所述第一電極的所述第二部分沿所述第一開口的側(cè)表面延伸以定位在所述鈍化層上,并且
所述第一電極包括透明導(dǎo)電氧化物,并且所述漏電極被配置為反射光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中在所述有機(jī)層中,與所述第一開口對(duì)應(yīng)的第一區(qū)域的厚度比與所述第二開口對(duì)應(yīng)的在所述第一開口外面的第二區(qū)域的厚度小。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述第一電極的表面電阻為從10Ω/cm2到300Ω/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述像素限定層的表面具有拒液特性。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中所述漏電極具有比所述第一電極大的面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,其中通過(guò)所述第二開口暴露的面積比通過(guò)所述第一開口暴露的面積大。
10.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法,該方法包括:
在底板上形成包括半導(dǎo)體層、柵電極、源電極和漏電極的薄膜晶體管;
形成覆蓋所述薄膜晶體管且具有暴露所述漏電極的開口的鈍化層;以及
形成包括連接至所述漏電極的第一電極、位于所述第一電極上的有機(jī)層和位于所述有機(jī)層上的第二電極的有機(jī)發(fā)光二極管,
其中所述漏電極具有比所述第一電極大的面積,
其中所述第一電極由透明導(dǎo)電氧化物形成,并且所述漏電極被配置為反射光。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中所述有機(jī)層的與所述第一電極接觸所述漏電極的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第一部分的厚度,比所述有機(jī)層的與所述第一電極不接觸所述漏電極的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第二部分的厚度小。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中所述第一電極的表面電阻為從10Ω/cm2到300Ω/cm2。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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