[發明專利]固體攝像裝置無效
| 申請號: | 201310313949.2 | 申請日: | 2013-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN104078473A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發明(設計)人: | 瀨田涉二 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/552 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;楊謙 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
技術領域
本發明的實施方式涉及背面照射型的固體攝像裝置。
背景技術
近年來,作為背面照射型的固體攝像裝置(攝像機模組),使用了由包含有攝像元件的芯片(以下記作像素芯片)和包含有邏輯電路的芯片(以下記作邏輯芯片)結構的層疊芯片。這是在固體攝像裝置的開發中對減小固體攝像裝置的尺寸而言非常有效的技術。
然而,在邏輯芯片的后級處理中,例如在高速地處理信號的情況下,會從處理電路產生放射噪聲(EMI:Electromagnetic?Interference)。該放射噪聲會給像素芯片中的像素部分的信號處理帶來噪聲故障,會給圖像信號帶來負面影響。EMI的影響伴隨著邏輯電路中的布線的集成度變高而變大。
發明內容
本發明所要解決的課題在于提供一種能夠減少在圖像信號中產生的噪聲故障的固體攝像裝置。
實施方式的固體攝像裝置的特征在于,具備:半導體基板;晶體管,形成在所述半導體基板上;第一層間絕緣膜,形成在所述半導體基板上;第一多層布線層,形成在所述第一層間絕緣膜內,由多個布線層及對所述多個布線層間進行連接的布線通孔構成;第一屏蔽層,形成在所述第一層間絕緣膜內且相鄰的所述布線層之間;第二屏蔽層,形成在所述第一層間絕緣膜內且相鄰的所述布線通孔之間;第二層間絕緣膜,形成在所述第一層間絕緣膜上;第二多層布線層,形成在所述第二層間絕緣膜內;半導體層,形成在所述第二層間絕緣膜上;攝像元件,形成在所述半導體層內且所述第二層間絕緣膜的界面;以及濾色片,形成在所述半導體層上。
根據上述結構的固體攝像裝置,能夠減少在圖像信號中產生的噪聲故障。
附圖說明
圖1是表示第一實施方式的固體攝像裝置的概要的圖。
圖2是表示第一實施方式的固體攝像裝置的構造的截面圖。
圖3是表示第一實施方式的固體攝像裝置的制造方法的截面圖。
圖4是表示第一實施方式的固體攝像裝置的制造方法的截面圖。
圖5是表示第一實施方式的固體攝像裝置的制造方法的截面圖。
圖6是表示第一實施方式的固體攝像裝置的制造方法的截面圖。
圖7是表示第一實施方式的固體攝像裝置的制造方法的截面圖。
圖8是表示第一實施方式的固體攝像裝置的屏蔽層的布局的一個例子を示す圖。
圖9是表示第一實施方式的固體攝像裝置中的屏蔽層的布局的他的例を示す圖。
圖10是表示第一實施方式的固體攝像裝置中的邏輯芯片的一個例子的截面圖。
圖11是表示圖10所示的構造的制造方法的截面圖。
圖12是表示圖10所示的構造的制造方法的截面圖。
圖13是表示第一實施方式的變形例的固體攝像裝置中的邏輯芯片的截面圖。
圖14是表示第一實施方式的變形例中的屏蔽層和墊片的俯視圖。
圖15是表示第二實施方式的固體攝像裝置的概要的圖。
圖16是表示第三實施方式的固體攝像裝置的概要的圖。
圖17是表示第三實施方式的固體攝像裝置中的信號的流向的框圖。
具體實施方式
以下,參照附圖來對實施方式的固體攝像裝置(傳感器芯片)進行說明。在以下的說明中,對具有相同功能及結構的結構要素賦予相同的附圖標記,并且僅在必要的情況下進行重復說明。
[第一實施方式]
對第一實施方式的固體攝像裝置進行說明。
圖1是表示第一實施方式的固體攝像裝置的概要的圖。圖1(a)示出了固體攝像裝置的截面圖,圖1(b)示出了像素芯片的俯視圖,圖1(c)示出了邏輯芯片的俯視圖。圖1(a)所示的截面圖是沿著X方向的截面。
如圖1(a)所示,固體攝像裝置10包含有像素芯片11和邏輯芯片12層疊而成的層疊芯片而形成。在像素芯片11與邏輯芯片12之間,配置有屏蔽(shield)層13。換言之,像素芯片11與邏輯芯片12被貼合,在像素芯片11與邏輯芯片12的接合面(界面)形成屏蔽層13。另外,屏蔽層13的配置不限于接合面,也可以配置在比接合面靠內側,即像素芯片11的層間絕緣層之中,并且也可以配置在邏輯芯片12的層間絕緣層之中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





