[發(fā)明專利]固體攝像裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310313949.2 | 申請日: | 2013-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN104078473A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 瀨田涉二 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/552 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;楊謙 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 攝像 裝置 | ||
1.一種固體攝像裝置,其特征在于,具備:
半導(dǎo)體基板;
晶體管,形成在所述半導(dǎo)體基板上;
第一層間絕緣膜,形成在所述半導(dǎo)體基板上;
第一多層布線層,形成在所述第一層間絕緣膜內(nèi),由多個布線層及對所述多個布線層間進(jìn)行連接的布線通孔構(gòu)成;
第一屏蔽層,形成在所述第一層間絕緣膜內(nèi)且相鄰的所述布線層之間;
第二屏蔽層,形成在所述第一層間絕緣膜內(nèi)且相鄰的所述布線通孔之間;
第二層間絕緣膜,形成在所述第一層間絕緣膜上;
第二多層布線層,形成在所述第二層間絕緣膜內(nèi);
半導(dǎo)體層,形成在所述第二層間絕緣膜上;
攝像元件,形成在所述半導(dǎo)體層內(nèi)且所述第二層間絕緣膜的界面;以及
濾色片,形成在所述半導(dǎo)體層上。
2.一種固體攝像裝置,其特征在于,具備:
半導(dǎo)體基板;
晶體管,形成在所述半導(dǎo)體基板上;
第一層間絕緣膜,形成在所述半導(dǎo)體基板上;
第一多層布線層,形成在所述第一層間絕緣膜內(nèi);
屏蔽層,形成在所述第一層間絕緣膜內(nèi);
第二層間絕緣膜,形成在所述第一層間絕緣膜上;
第二多層布線層,形成在所述第二層間絕緣膜內(nèi);
半導(dǎo)體層,形成在所述第二層間絕緣膜上;
攝像元件,形成在所述半導(dǎo)體層內(nèi)且所述第二層間絕緣膜的界面;以及
濾色片,形成在所述半導(dǎo)體層上。
3.如權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置,其特征在于,
所述第一多層布線層由多個布線層及對所述多個布線層進(jìn)行連接的布線通孔構(gòu)成,
所述屏蔽層形成在相鄰的所述布線層之間。
4.如權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置,其特征在于,
所述第一多層布線層由多個布線層及對所述多個布線層進(jìn)行連接的布線通孔構(gòu)成,
所述屏蔽層形成在相鄰的所述布線通孔之間。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的固體攝像裝置,其特征在于,
該固體攝像裝置還具備:
圖像信號處理器,形成于所述半導(dǎo)體基板;
所述屏蔽層配置在所述攝像元件與所述圖像信號處理器之間。
6.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的固體攝像裝置,其特征在于,
該固體攝像裝置還具備:
貫通電極,形成在所述半導(dǎo)體層及所述第二層間絕緣膜內(nèi),與所述第一多層布線層電連接。
7.如權(quán)利要求5所述的固體攝像裝置,其特征在于,
該固體攝像裝置還具備:
貫通電極,形成在所述半導(dǎo)體層及所述第二層間絕緣膜內(nèi),與所述第一多層布線層電連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





