[發(fā)明專(zhuān)利]集成電路及包括該集成電路的顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310313654.5
• 申請(qǐng)日: 2013-07-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103579195A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓昊錫;孟昊奭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/544
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/544
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);劉奕晴

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種集成電路及一種包括該集成電路的顯示裝置，更具體地說(shuō)，涉及一種包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的集成電路及一種包括該集成電路的顯示裝置。

背景技術(shù)

通過(guò)將諸如晶體管、電阻器和電容器的電子元件集成在單個(gè)基底上或基底中來(lái)獲得集成電路（IC），以實(shí)現(xiàn)特定電路的功能。由于集成電路具有與通過(guò)單獨(dú)布置電子元件而實(shí)現(xiàn)的電路相比減小了的尺寸并且一體地形成，所以促進(jìn)了對(duì)它的處理和布線，并且使其大規(guī)模生產(chǎn)成為可能。因此，集成電路在各種電子裝置中使用。

隨著技術(shù)的發(fā)展，需要具有小型化了的尺寸和各種復(fù)雜的功能的電子裝置。因此，需要包括在電子裝置中的集成電路的尺寸小型化并且使其結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

近來(lái)，隨著移動(dòng)電話、智能電話、PMP和PDP的使用增加，顯示裝置趨于小型化和薄膜化。因此，即使在顯示裝置中，也能夠使用具有小型化了的尺寸和復(fù)雜的結(jié)構(gòu)的集成電路。例如，顯示裝置可使用集成電路作為用于驅(qū)動(dòng)顯示圖像的顯示面板的裝置。

發(fā)明內(nèi)容

集成電路可包括用于信號(hào)輸入和輸出的凸塊。如果集成電路的尺寸小型化并且其結(jié)構(gòu)復(fù)雜，則凸塊的數(shù)量增多并且凸塊的尺寸減小。如果凸塊的數(shù)量增多并且凸塊的尺寸減小，則當(dāng)集成電路被安裝在基底上時(shí)，會(huì)出現(xiàn)凸塊之間的短路或者凸塊的對(duì)不準(zhǔn)，因此需要將集成電路精確地對(duì)準(zhǔn)在基底上。

因此，本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的上述問(wèn)題，本發(fā)明解決的一個(gè)目標(biāo)在于提供一種集成電路，在將集成電路安裝在基底上時(shí)，該集成電路有助于集成電路的對(duì)準(zhǔn)。

本發(fā)明解決的另一目標(biāo)在于提供一種包括集成電路的顯示裝置，在將集成電路安裝在基底上時(shí)，該集成電路有助于集成電路的對(duì)準(zhǔn)。

本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征將在下面的描述中部分地闡述，并且部分地將通過(guò)下面的解釋使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解或者可以通過(guò)實(shí)施本發(fā)明來(lái)明了。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種集成電路，所述集成電路包括：基底；半導(dǎo)體層，布置在基底上；以及絕緣層，布置在半導(dǎo)體層的上部上，并且包括設(shè)置在其上表面上的凸塊，其中，半導(dǎo)體層包括主半導(dǎo)體區(qū)域和包括p型半導(dǎo)體的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域與主半導(dǎo)體區(qū)域分隔開(kāi)，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域包括內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。

基底可以是硅基底。集成電路還可包括布置在絕緣層的上表面上的外部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，外部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以與內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記疊置。內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形狀可由在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域中布置有p型半導(dǎo)體的區(qū)域的形狀來(lái)限定。內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以包括位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形狀可以相對(duì)于第一軸和與第一軸垂直的第二軸對(duì)稱(chēng)。

位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以包括NMOS晶體管。p型半導(dǎo)體可以包括第一p型半導(dǎo)體以及在第一p型半導(dǎo)體上方并與第一p型半導(dǎo)體分隔開(kāi)的第二p型半導(dǎo)體，NMOS晶體管可以包括第一p型半導(dǎo)體、第二p型半導(dǎo)體以及布置在第一p型半導(dǎo)體和第二p型半導(dǎo)體之間的n型半導(dǎo)體。第二p型半導(dǎo)體可包括彼此分隔開(kāi)并進(jìn)行了n+摻雜的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，NMOS晶體管還可包括布置在第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間的柵極。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以包括多個(gè)NMOS晶體管。

位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可為十字形。位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可為菱形。內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還可包括方向?qū)?zhǔn)標(biāo)記。方向?qū)?zhǔn)標(biāo)記可以相對(duì)于第一軸和第二軸不對(duì)稱(chēng)。方向?qū)?zhǔn)標(biāo)記可以與位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分隔開(kāi)。內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括限定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域的區(qū)域限定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。區(qū)域限定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可圍繞對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域的外周，位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和方向?qū)?zhǔn)標(biāo)記可布置在區(qū)域限定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中。內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形狀可以由在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域中的不存在p型半導(dǎo)體的區(qū)域的形狀限定。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域可以包括NMOS晶體管。內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以包括位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以相對(duì)于第一軸和與第一軸垂直的第二軸對(duì)稱(chēng)。位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可為十字形。位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可為菱形。內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還可包括方向?qū)?zhǔn)標(biāo)記。方向?qū)?zhǔn)標(biāo)記可以相對(duì)于第一軸和第二軸不對(duì)稱(chēng)。方向?qū)?zhǔn)標(biāo)記可以與位置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記分隔開(kāi)。