[發明專利]集成電路及包括該集成電路的顯示裝置

在審

• 申請號: 201310313654.5
• 申請日: 2013-07-24
• 公開（公告）號: CN103579195A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 韓昊錫;孟昊奭
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;劉奕晴

1.一種集成電路，所述集成電路包括：

基底；

半導體層，布置在基底上；以及

絕緣層，布置在半導體層的上部，并且包括設置在絕緣層的上表面上的凸塊，

其中，半導體層包括主半導體區域和包括p型半導體的對準標記區域，對準標記區域與主半導體區域分隔開，

對準標記區域包括內部對準標記。

2.如權利要求1所述的集成電路，其中，基底是硅基底。

3.如權利要求1所述的集成電路，所述集成電路還包括布置在絕緣層的上表面上的外部對準標記，外部對準標記與內部對準標記疊置。

4.如權利要求1所述的集成電路，其中，內部對準標記的形狀由在對準標記區域中布置有所述p型半導體的區域的形狀來限定。

5.如權利要求4所述的集成電路，其中，內部對準標記包括位置對準標記。

6.如權利要求5所述的集成電路，其中，位置對準標記的形狀相對于第一軸和與第一軸垂直的第二軸對稱。

7.如權利要求6所述的集成電路，其中，位置對準標記包括NMOS晶體管。

8.如權利要求7所述的集成電路，其中，p型半導體包括第一p型半導體以及在第一p型半導體上方并與第一p型半導體分隔開的第二p型半導體，并且

NMOS晶體管包括所述第一p型半導體、所述第二p型半導體以及布置在所述第一p型半導體和所述第二p型半導體之間的n型半導體。

9.如權利要求8所述的集成電路，其中，第二p型半導體包括彼此分隔開并進行n+摻雜的第一摻雜區和第二摻雜區，并且

NMOS晶體管還包括布置在第一摻雜區和第二摻雜區之間的柵極。

10.如權利要求6所述的集成電路，其中，位置對準標記包括多個NMOS晶體管。

11.如權利要求6所述的集成電路，其中，位置對準標記為十字形。

12.如權利要求6所述的集成電路，其中，位置對準標記為菱形。

13.如權利要求6所述的集成電路，其中，內部對準標記還包括方向對準標記。

14.如權利要求13所述的集成電路，其中，方向對準標記相對于第一軸和第二軸不對稱。

15.如權利要求13所述的集成電路，其中，方向對準標記與位置對準標記分隔開。

16.如權利要求15所述的集成電路，其中，內部對準標記還包括限定對準標記區域的區域限定對準標記。

17.如權利要求16所述的集成電路，其中，區域限定對準標記圍繞對準標記區域的外周，并且

位置對準標記和方向對準標記布置在區域限定對準標記中。

18.如權利要求1所述的集成電路，其中，內部對準標記的形狀由在對準標記區域中不具有所述p型半導體的區域的形狀限定。

19.如權利要求18所述的集成電路，其中，對準標記區域包括NMOS晶體管。

20.如權利要求18所述的集成電路，其中，內部對準標記包括位置對準標記。

21.如權利要求20所述的集成電路，其中，位置對準標記相對于第一軸和與第一軸垂直的第二軸對稱。

22.如權利要求21所述的集成電路，其中，位置對準標記為十字形。

23.如權利要求21所述的集成電路，其中，位置對準標記為菱形。

24.如權利要求21所述的集成電路，其中，內部對準標記還包括方向對準標記。

25.如權利要求24所述的集成電路，其中，方向對準標記相對于第一軸和第二軸不對稱。

26.如權利要求24所述的集成電路，其中，方向對準標記與位置對準標記分隔開。

27.一種集成電路，所述集成電路包括：

基底；

半導體層，布置在基底上；以及

絕緣層，布置在半導體層的上部，并且包括設置在絕緣層的上表面上的凸塊，

其中，半導體層包括彼此連接的主半導體區域和包括p型半導體的內部對準標記。