[發明專利]半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 201310309151.0
• 申請日: 2013-07-22
• 公開（公告）號: CN104332399B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 秦長亮;尹海洲;唐兆云;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括：

在襯底上形成半導體器件；

在整個襯底上直接形成保護層，保護層材質為具有張應力的氮化硅；

對半導體器件執行退火，所述保護層避免退火過程中非Si元素污染退火爐；

采用HF基腐蝕液，濕法腐蝕去除保護層。

2.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，半導體器件中包括摻雜區，并且半導體器件選自以下器件之一及其組合：MOSFET、雙極晶體管、DMOS、UMOS、FinFET、BiMOS、發光器件、電阻、電容、電感、接觸、層間互連。

3.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，退火用于以下用途之一及其組合：用于激活源漏摻雜、用于使得非晶體結構轉變為多晶或者單晶結構、用于形成金屬硅化物、用于驅使摻雜劑形成凝結區、用于降低表面缺陷。

4.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，保護層厚度為1～

5.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，濕法腐蝕的時間為1～100s。

6.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，HF基腐蝕液為dHF、或dBOE。

7.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，半導體器件為MOSFET，在襯底上形成MOSFET的步驟進一步包括：

在襯底上形成柵極堆疊和柵極側墻；

以柵極堆疊為掩模，刻蝕襯底形成源漏溝槽；

在源漏溝槽中外延生長源漏應力層；

以柵極堆疊為掩模，執行輕摻雜注入，形成LDD結構和/或Halo結構；

執行重摻雜，形成源漏區。

8.如權利要求7的半導體器件制造方法，其中，柵極堆疊的頂部和/或柵極側墻的材料選自以下之一及其組合：氧化硅、無應力氮化硅、壓應力氮化硅。

9.如權利要求7的半導體器件制造方法，其中，去除保護層之后進一步包括步驟：

形成層間介質層；

刻蝕層間介質層，形成暴露源漏區的接觸孔；

在接觸孔中形成金屬硅化物；

在接觸孔中金屬硅化物上形成接觸塞。

10.如權利要求9的半導體器件制造方法，其中，柵極堆疊為假柵極堆疊，在形成層間介質層之后進一步包括：

去除假柵極堆疊，在層間介質層中留下柵極溝槽；

在柵極溝槽中形成MG/HK結構的最終柵極堆疊。