[發(fā)明專利]一種碳纖維增強氮化硅-碳化硅陶瓷復(fù)合材料的增密方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310309108.4 | 申請日： | 2013-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN103724035A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳照峰;余盛杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 太倉派歐技術(shù)咨詢服務(wù)有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/80 | 分類號： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215400 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碳纖維 增強 氮化 碳化硅 陶瓷 復(fù)合材料 方法 | ||
1.一種碳纖維增強氮化硅-碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的增密方法，其特征在于，在CVI增密到70～85％的C/SiC陶瓷基復(fù)合材料表面涂刷硅粉，烘干后氮化，氮化完成后再通過CVD給CMC制備SiC涂層，完成CMC的制備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳纖維增強的氮化硅-碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的增密方法，其特征在于，包括以下順序的制備步驟：
①通過CVI或是PIP來制備C/SiC陶瓷基復(fù)合材料；
②對C/SiC陶瓷基復(fù)合材料繼續(xù)進行CVI碳化硅，由于纖維束間交叉空隙大，將CVI時間延長時間為20～30小時；
③當(dāng)CVI碳化硅增密到70～85％時，在C/SiC表面涂刷硅粉，尤其是在大孔處填充，然后烘干；
④進行氮化處理，氮化工藝為1100～1300℃初步氮化，1350-1450℃二次氮化獲得，與純氮化硅陶瓷粉體燒結(jié)具有燒結(jié)溫度低的優(yōu)點；
⑤氮化完成以后，再通過CVD給CMC表面制備SiC涂層，CVD時間為20～30小時，便完成了碳纖維增強氮化硅-碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的增密。
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