[發(fā)明專利]包封片、有機(jī)發(fā)光顯示裝置制造方法及有機(jī)發(fā)光顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310308331.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103681753B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金旻首;樸鎮(zhèn)宇;玄元植 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī)發(fā)光顯示裝置 包封 載體膜 硫?qū)倩衔锊A?/a> 氟磷酸鹽玻璃 亞碲酸鹽玻璃 磷酸鹽玻璃 硼酸鹽玻璃 制造 | ||
1.一種包封片,所述包封片包括:
載體膜;
第一片,位于載體膜上;以及
第二片,位于載體膜和第一片之間,
其中,第二片包含鎢,
其中,第一片包含錫氟磷酸鹽玻璃、硫?qū)倩衔锊AА嗧谒猁}玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包封片,所述包封片還包括多個(gè)附加的第一片和多個(gè)附加的第二片,其中,每個(gè)第一片與每個(gè)第二片交替堆疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包封片,其中,第一片包含錫氟磷酸鹽玻璃,錫氟磷酸鹽玻璃包含20重量%至80重量%的錫、2重量%至20重量%的磷、3重量%至20重量%的氧和10重量%至36重量%的氟。
4.一種包封片,所述包封片包括:
載體膜;
第一片,位于載體膜上;以及
第三片,位于載體膜和第一片之間,
其中,第一片包含錫氟磷酸鹽玻璃、硫?qū)倩衔锊AА嗧谒猁}玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃中的至少一種,
其中,第三片被圖案化為條帶,第三片包含鎢。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的包封片,其中,第一片包含錫氟磷酸鹽玻璃,錫氟磷酸鹽玻璃包含20重量%至80重量%的錫、2重量%至20重量%的磷、3重量%至20重量%的氧和10重量%至36重量%的氟。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的包封片,所述包封片還包括多個(gè)附加的第一片和多個(gè)附加的第三片,其中,每個(gè)第一片與每個(gè)第三片交替地堆疊。
7.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法,所述方法包括:
在基板上形成有機(jī)電致發(fā)光單元;
將包括載體膜、位于載體膜上的第一片以及位于載體膜與第一片之間的第二片的包封片設(shè)置在有機(jī)電致發(fā)光單元上,其中,第二片包含鎢;
通過(guò)加熱包封片使第一片和第二片熔化來(lái)形成包封層;以及
將載體膜與包封層分離,
其中,第一片由低液相線溫度材料形成,低液相線溫度材料包括錫氟磷酸鹽玻璃、硫?qū)倩衔锊AА嗧谒猁}玻璃、硼酸鹽玻璃和磷酸鹽玻璃中的至少一種,
其中,當(dāng)加熱包封片以形成包封層時(shí),低液相線溫度材料和鎢彼此反應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,所述方法還包括形成多個(gè)附加的第一片和多個(gè)附加的第二片,其中,每個(gè)第一片交替形成在每個(gè)第二片上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,第二片被圖案化為條帶形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,包封片還包括在載體膜和第一片之間的中間層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,第一片包含錫氟磷酸鹽玻璃,錫氟磷酸鹽玻璃包含20重量%至80重量%的錫、2重量%至20重量%的磷、3重量%至20重量%的氧和10重量%至36重量%的氟。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,施加到包封片的熱的溫度是200℃或更低。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,施加到包封片的熱的溫度是從150℃到200℃。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,附加的第一片包含錫氟磷酸鹽玻璃,錫氟磷酸鹽玻璃包含20重量%至80重量%的錫、2重量%至20重量%的磷、3重量%至20重量%的氧和10重量%至36重量%的氟。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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