[發(fā)明專利]用于集成激光驅(qū)動器的調(diào)制電流工藝角數(shù)字補償電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310308309.2 | 申請日: | 2013-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN103368068A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 蔣湘;王維;李永軍;劉瑩;劉哲;王麗芳;葉亞琴;劉本麗;陳偉 | 申請(專利權(quán))人: | 烽火通信科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/042 | 分類號: | H01S5/042;G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京捷誠信通專利事務所(普通合伙) 11221 | 代理人: | 魏殿紳;龐炳良 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 集成 激光 驅(qū)動器 調(diào)制 電流 工藝 數(shù)字 補償 電路 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及激光驅(qū)動器領域,特別是涉及一種用于集成激光驅(qū)動器的調(diào)制電流工藝角數(shù)字補償電路。
背景技術
國內(nèi)外研究者對LDD(Laser?Diode?Driver,激光驅(qū)動器)作了大量的研究,在LDD的調(diào)制電流的控制方面,一般采用模擬電路的實現(xiàn)方法預測不同條件下所需要的調(diào)制電流的大小,來實現(xiàn)開環(huán)控制。然而由于集成電路制造工藝的偏差,在不同的工藝角條件下,會引起調(diào)制電流控制電壓的變化,因而會有不同的控制曲線,參見圖1所示,由于batch1(第一批)和batch2(第二批)的不同特性,造成不同工藝角條件下調(diào)制電流的補償特性難以統(tǒng)一。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服上述背景技術的不足,提供一種用于集成激光驅(qū)動器的調(diào)制電流工藝角數(shù)字補償電路,能保證在不同工藝角條件下激光驅(qū)動器調(diào)制電流補償特性基本一致;采用先進的數(shù)字信號處理的方式進行補償,補償精度較高;直接輸出補償后的調(diào)制電流控制信號,能滿足激光驅(qū)動器調(diào)制電流補償?shù)幕疽蟆?/p>
本發(fā)明提供的用于集成激光驅(qū)動器的調(diào)制電流工藝角數(shù)字補償電路,包括順次相連的工藝角檢測電路CNDT、模擬/數(shù)字A/D轉(zhuǎn)換單元、數(shù)字信號處理單元DSP、數(shù)字/模擬D/A轉(zhuǎn)換單元和激光驅(qū)動器的調(diào)制電流控制單元LDD?MOD&LD,其中:
所述工藝角檢測電路CNDT,用于:檢測集成電路制造工藝參數(shù)的變化情況,將檢測到的工藝參數(shù)的變化情況輸出到A/D轉(zhuǎn)換單元;
所述A/D轉(zhuǎn)換單元,用于:將工藝參數(shù)的變化情況轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號,并將數(shù)字信號輸出到數(shù)字信號處理單元DSP;
所述數(shù)字信號處理單元DSP,用于:對數(shù)字信號進行處理,并將處理后得到的數(shù)字信號輸出到D/A轉(zhuǎn)換單元;
所述D/A轉(zhuǎn)換單元,用于:將數(shù)字信號處理單元DSP輸入的數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為模擬信號,并將模擬信號輸出到激光驅(qū)動器的調(diào)制電流控制單元LDD?MOD&LD;
所述激光驅(qū)動器的調(diào)制電流控制單元LDD?MOD&LD,用于:對模擬信號進行補償,控制調(diào)制電流輸出的大小,并驅(qū)動激光器。
在上述技術方案的基礎上,所述工藝角檢測電路CNDT由帶隙基準源BG、放大器AMP、第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3、第四晶體管M4、第五晶體管M5、第六晶體管M6、參考電阻Rref和采樣電阻Rtest構(gòu)成,第五晶體管M5為PMOS管,第六晶體管M6為NMOS管,帶隙基準源BG的輸出端與放大器AMP的反相輸入端相連,放大器AMP的輸出端分別與第一晶體管M1的柵極、第二晶體管M2的柵極、第三晶體管M3的柵極、第四晶體管M4的柵極相連,第一晶體管M1的源極、第二晶體管M2的源極、第三晶體管M3的源極、第四晶體管M4的源極均與電源VDD相連,第一晶體管M1的漏極與參考電阻Rref的一端相連后接到放大器AMP的同相輸入端,參考電阻Rref的另一端接地;第二晶體管M2的漏極與采樣電阻Rtest的一端相連后接A/D轉(zhuǎn)換單元的輸入端,采樣電阻Rtest的另一端接地;第三晶體管M3的漏極與第五晶體管M5的源極相連后接A/D轉(zhuǎn)換單元的輸入端,第五晶體管M5的柵極和漏極、第六晶體管M6的源極均接地,第六晶體管M6的柵極、漏極接在一起,并與第四晶體管M4的漏極相連后接A/D轉(zhuǎn)換單元的輸入端,工藝角檢測電路CNDT內(nèi)部產(chǎn)生的用于控制調(diào)制電流大小的控制電壓Vmodctrl接A/D轉(zhuǎn)換單元的輸入端,A/D轉(zhuǎn)換單元的輸出端與數(shù)字信號處理單元DSP的輸入端相連,數(shù)字信號處理單元DSP的輸出端與D/A轉(zhuǎn)換單元的輸入端相連。
在上述技術方案的基礎上,所述采樣電阻Rtest、第五晶體管M5、第六晶體管M6的工藝角偏差電壓,以及調(diào)制電流控制電壓Vmodctrl,均通過A/D轉(zhuǎn)換后進入到DSP做數(shù)字信號處理,算法如下:
第二晶體管M2的漏極、第三晶體管M3的漏極、第四晶體管M4的漏極的電位,經(jīng)過A/D轉(zhuǎn)換后,分別為RESoffset、PMOSoffset和NMOSoffset,調(diào)制電流控制電壓Vmodctrl經(jīng)過A/D轉(zhuǎn)換為校準后調(diào)制電流Imod,則DSP做如下運算:
Imod=Iuncal+K1*RESoffset+K2*PMOSoffset+K3*NMOSoffset,
其中,Imod為校準后調(diào)制電流,Iuncal為校準前調(diào)制電流,K1為電阻影響系數(shù),K2為PMOS影響系數(shù),K3為NMOS影響系數(shù),K1、K2、K3均按常數(shù)設置。
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