[發明專利]多晶硅生產中尾氣分離工藝無效
| 申請號: | 201310305011.6 | 申請日: | 2013-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN103342341A | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發明(設計)人: | 張偉;陳喜清;黃彬;陳朝霞 | 申請(專利權)人: | 新特能源股份有限公司 |
| 主分類號: | C01B3/50 | 分類號: | C01B3/50;C01B7/07;C01B33/107 |
| 代理公司: | 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249 | 代理人: | 夏晏平 |
| 地址: | 830011 新疆維吾*** | 國省代碼: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶 生產 尾氣 分離 工藝 | ||
1.多晶硅生產中尾氣分離工藝,尾氣含有氫氣、三氯氫硅、四氯化硅、二氯二氫硅、氯化氫,其特征為尾氣分離工藝包括步驟:
1)尾氣進行冷卻,將氯硅烷與不凝性氣體氫氣、氯化氫微量氯硅烷氣體進行分離,冷凝的氯硅烷送入原料罐區進行回收分離;
2)不凝性氣體氫氣、氯化氫及微量氯硅烷氣體經過壓縮進行升壓操作,壓力大于氫氣反應器壓力;
3)不凝性氣體氫氣、氯化氫及微量氯硅烷氣體經過一級吸附分離,得到含有純度為99.9%~99.999999%的氫氣,同時產生含有純度為98.5%的氯化氫的解析氣1,解析氣1進入氯化氫回收裝置進行反應消耗;
4)經過一級吸附分離后的99.9%~99.999999%氫氣再送入二級吸附分離,去除氫氣中的痕量雜質,得到產品產品純度99.999999%~99.99999999%氫氣;同時產生含有痕量雜質的解析氣2,解析氣2進入氫氣回收裝置進行反應消耗;
5)二級吸附分離的產品氫氣送入產品氫儲罐,最終供氫氣反應器使用;
6)氫氣反應器中不完全反應的氣體再進行冷卻分離,進行循環利用。
2.根據權力要求1所述的多晶硅生產中尾氣分離工藝,其特征為在氫氣反應器中,不凝性氣體經過壓縮進行升壓操作,優選的氫氣反應器壓力為0.1-1.0?MpaG。
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