[發明專利]一種多芯片疊加模塊化高速存儲集成電路封裝模具無效
| 申請號: | 201310304291.9 | 申請日: | 2013-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN103367177A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發明(設計)人: | 宋巖 | 申請(專利權)人: | 大連泰一精密模具有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 大連星海專利事務所 21208 | 代理人: | 花向陽 |
| 地址: | 116600 遼寧省大連*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 疊加 模塊化 高速 存儲 集成電路 封裝 模具 | ||
技術領域
本發明涉及一種多芯片疊加模塊化高速存儲集成電路封裝模具,其屬于便攜式大容量存儲疊層芯片集成電路封裝的技術領域。?
背景技術
多芯片模塊具有以下特點:封裝密度更高,電性能更好,與等效的單芯片封裝相比體積更小。如果采用傳統的單個芯片封裝的形式分別焊接在印刷電路板上,則芯片之間布線引起的信號傳輸延遲就顯得非常嚴重,尤其是在高頻電路中,而此封裝最大的優點就是縮短芯片之間的布線長度,從而達到縮短延遲時間、易于實現模塊高速化的目的。此封裝不同于傳統的先切割晶圓,再組裝測試的做法,而是先在整片晶圓上進行封裝和測試,然后再切割。它有著更明顯的優勢:首先是工藝大大優化,晶圓直接進入封裝工序,而傳統工藝在封裝之前還要對晶圓進行切割、分類;所有集成電路一次封裝,刻印工作直接在晶圓上進行,設備測試一次完成,有別于傳統組裝工藝;生產周期和成本大幅下降,芯片所需引腳數減少,提高了集成度;引腳產生的電磁干擾幾乎被消除,采用此封裝的內存可以支持到800MHz的頻率,最大容量可達1GB,所以它號稱是未來封裝的主流。它的不足之處是芯片得不到足夠的保護。封裝過程中由于封裝料具有一定的收縮性,使得封裝體與多芯片封集成電路基板產生翹曲,變形大,并大面積與芯片分離,不能達到芯片所需的電特性。?
發明內容
為解決單一芯片封裝集成度低和功能不夠完善的問題,本發明提供一種多芯片疊加模塊化高速存儲集成電路封裝模具,把多個高集成度、高性能、高可靠性的芯片,在高密度多層互聯基板上組成多種多樣的電子模塊系統,從而出現多芯片模塊系統。它是把多塊裸露的IC芯片安裝在一塊多層高密度互連襯底上,并組裝在同一個封裝中。?
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種多芯片疊加模塊化高速存儲集成電路封裝模具,主要包括上模固定板和下模固定板,在所述上模固定板上安裝上模型腔和上模中心流道,在所述下模固定板上安裝下模型腔和下模中心板;所述下模中心板中安裝下模注料筒,在合模工作時,使上模固定板與下模固定板閉合,用多個下模注料筒均勻推進環氧塑料,使環氧塑料經過下模注料筒和上模中心流道通過澆口填充到上模型腔中;在所述上模固定板的下部固定連接上模固定板支撐柱,在所述下模固定板的下部固定連接下模固定板支撐柱。?
所述上模型腔分布多個不同位置與大小的澆口,使環氧樹脂通過下模注料筒到上模中心流道通過澆口進入上模型腔包封集成電路基板。?
所述上模型腔加工為大球面凹形,與上模型腔配合的下模型腔加工大球面凸形,合模時使放在中間的多芯片封集成電路基板,在封裝時使封裝體具有收縮后回彈為平面的弧度。?
本發明的有益效果是:這種多芯片疊加模塊化高速存儲集成電路封裝模具,在上模固定板上安裝上模型腔和上模中心流道,在下模固定板上安裝下模型腔和下模中心板。下模中心板中安裝下模注料筒,在合模工作時,使上模固定板與下模固定板閉合,用多個下模注料筒均勻推進環氧塑料,使環氧塑料經過下模注料筒和上模中心流道通過澆口填充到上模型腔中。上模型腔加工為大球面凹形,下模型腔加工大球面凸形,使放在中間的封集成電路基板在加工時具有一定的弧度。使得封裝體收縮后回彈為平面,不會產生翹曲。該封裝模具把多個高集成度、高性能、高可靠性的芯片,在高密度多層互聯基板上組成多種多樣的電子模塊系統,從而出現多芯片模塊系統。它是把多塊裸露的IC芯片安裝在一塊多層高密度互連襯底上,并組裝在同一個封裝中。最重要的是可保證封裝后產品不會翹曲,不會因翹曲產生多芯片分層現象。?
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。?
圖1是上下模的合模結構圖。?
圖2是上模的型腔俯視圖。?
圖3是上模型腔主視圖。?
圖4是下模型腔主視圖。?
圖中:1、澆口,2、型腔排氣槽,3、上模型腔,4、上模中心流道,5、上模固定板,6、下模型腔,7、下模中心板,8、下模固定板,9、下模頂針固定板,10、下模頂針墊板,11、下模型腔頂針,12、集成電路基板定位針。13、下模固定板支撐柱,14、下模注料筒,15、上模頂針固定板,16、上模頂針墊板,17、上模固定板支撐柱,18、上模型腔頂針,19、上模中心流道頂針。?
具體實施方式
以下參照附圖對本發明的結構做進一步描述。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





