[發明專利]基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED及其制作方法無效
| 申請號: | 201310304148.X | 申請日: | 2013-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN103441222A | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 李陽 | 申請(專利權)人: | 五邑大學 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 譚志強 |
| 地址: | 529020*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 納米 薄膜 復合 陽極 微腔式 oled 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光二極管,特別是一種微腔式OLED及其制作方法。?
背景技術
有機電致發光器件,又稱有機發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode,OLED)。OLED具有自發光的特性,采用非常薄的有機薄膜材料和基板,當電流通過時,有機材料就會發光,而且OLED顯示屏幕可視角度大,并且能夠顯著節省電能,因為此OLED屏幕具備了許多LCD不可比擬的優勢。有機電致發光器件(OLED)因較之其它顯示、照明技術的顯著性能優勢和低成本,被視為具有巨大應用前景的新一代顯示與照明技術。?
OLED的基本結構是由一薄而透明具半導體特性之銦錫氧化物(ITO),與正極相連,再加上另一個金屬陰極,形成如三明治的結構。整個結構層中包括了:玻璃襯底、ITO陽極、空穴傳輸層(HTL)、發光層(EL)與電子傳輸層(ETL)、金屬陰極。?
但是,常規結構的OLED器件,不僅器件發光效率與發光亮度都較低,而且其發光光譜半高寬較寬,紅、綠、藍色坐標與標準值有一定偏差,這使得由紅、綠、藍三種OLED器件發光合成彩色易形成偏差,不利于三基色合成彩色的實現。?
發明內容
基于以上常規器件的出光效率以及色純度等方面存在的不足,本發明的目的在于提供一種出光強度增大,電流效率和功率效率均有顯著提高的基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED及其制作方法。?
本發明解決其問題所采用的技術方案是:?
基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED,包括具有基板并包含形成于陰極和陽極組成的兩個電極之間的微腔,所述微腔包括多個有機層,所述有機層有至少一個發光層,所述的陽極由P型摻雜納米晶硅薄膜和銦錫氧化物(ITO)層復合制成,所述P型摻雜納米晶硅薄膜位于基板的上方。?
進一步,所述微腔包括位于陽極之上的空穴注入層,位于空穴注入層之上的空穴傳輸層,位于空穴傳輸層之上陰極之下的有機發光層。?
進一步,所述的空穴注入層為氧化鉬(MoO3)層。?
進一步,所述空穴傳輸層為NPB層。?
進一步,所述的有機發光層為Alq層。?
進一步,所述的陰極由氟化鋰(LiF)層和金屬鋁(Al)層復合而成。?
用于制造上述基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED的方法,該OLED具有基板并包含形成于陰極和陽極組成的兩個電極之間的微腔,所述微腔包括多個有機層,所述有機層有至少一個發光層,該方?法特征其特征在于,所述陽極采用以下方法制成:通過甚高頻增強型等離子體化學氣相沉積技術,制備P型摻雜納米晶硅薄膜(P+-nc-Si:H),并使其與銦錫氧化物(ITO)層一起構成OLED的復合陽極。?
進一步,所述P型摻雜納米晶硅薄膜的沉積采用PECVD沉積系統,以光學玻璃為襯底,激發頻率為60MHz,電極為平行板電容式結構,電極間距為2.1cm,摻雜劑為B2H6。?
作為上述的進一步改進,上述P型摻雜納米晶硅薄膜的制備條件為:硅烷濃度為2%,襯底溫度為230℃,沉積壓強為0.7Torr,功率的變化范圍為12~20w,硼摻雜濃度為0.8%。?
本發明的有益效果是:本發明采用的基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED,所述的陽極由P型摻雜納米晶硅薄膜和銦錫氧化物(ITO)層復合制成,此復合陽極具有吸收率低、近似半反半透的光學特性,與高反射率的陰極Al使OLED產生了微腔效應,使得器件出光強度增大,電流效率和功率效率均有顯著提高;而且,微腔的色坐標較常規OLED器件的色坐標有很大的改善,更加接近于標準值。這說明由于微腔效應使器件出光的色純度更好,這有利于三基色合成彩色的實現。?
本發明采用的基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED的制作方法,采用甚高頻增強型等離子體化學氣相沉積技術制備P型摻雜納米晶硅薄膜材料,并使其與銦錫氧化物(ITO)層一起構成OLED的復合?陽極,此復合陽極具有吸收率低、近似半反半透的光學特性,與高反射率的陰極Al使OLED產生了微腔效應,使得器件出光強度增大,電流效率和功率效率均有顯著提高;而且,微腔的色坐標較常規OLED器件的色坐標有很大的改善,更加接近于標準值。這說明由于微腔效應使器件出光的色純度更好,這有利于三基色合成彩色的實現。?
附圖說明
下面結合附圖和實例對本發明作進一步說明。?
圖1是本發明OLED的結構示意圖。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





