[發明專利]基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED及其制作方法

無效

• 申請號: 201310304148.X
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN103441222A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 李陽
• 申請（專利權）人: 五邑大學
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 譚志強

1.基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED，包括具有基板（1）并包含形成于陰極（2）和陽極（3）組成的兩個電極之間的微腔（4），所述微腔（4）包括多個有機層，所述有機層有至少一個發光層，其特征在于：所述的陽極（3）由P型摻雜納米晶硅薄膜（31）和銦錫氧化物（ITO）層（32）復合制成，所述P型摻雜納米晶硅薄膜（31）位于基板（1）的上方。

2.根據權利要求1所述的基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED，其特征在于：所述微腔（4）包括位于陽極（3）之上的空穴注入層（41），位于空穴注入層（41）之上的空穴傳輸層（42），位于空穴傳輸層（42）之上陰極（2）之下的有機發光層（43）。

3.根據權利要求2所述的基于納米硅薄膜復合陽極（3）的微腔式OLED，其特征在于：所述的空穴注入層（41）為氧化鉬（MoO₃）層。

4.根據權利要求2所述的基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED，其特征在于：所述空穴傳輸層（42）為NPB層。

5.根據權利要求2所述的基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED，其特征在于：所述的有機發光層（43）為Alq層。

6.根據權利要求2所述的基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED，其特征在于：所述的陰極（2）由氟化鋰（LiF）層（21）和金屬鋁（Al）層（22）復合而成。

7.用于制造權利要求1至6任一基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED的方法，該OLED具有基板（1）并包含形成于陰極（2）和陽極（3）組成的兩個電極之間的微腔（4），所述微腔（4）包括多個有機層，所述有機層有至少一個發光層，該方法特征其特征在于，所述陽極（3）采用以下方法制成：通過甚高頻增強型等離子體化學氣相沉積技術，制備P型摻雜納米晶硅薄膜（31），并使其與銦錫氧化物（ITO）層（32）一起構成OLED的復合陽極（3）。??

8.根據權利要求7所述的用于制造基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED的方法，其特征在于：所述P型摻雜納米晶硅薄膜（31）的沉積采用PECVD沉積系統，以光學玻璃為襯底，激發頻率為60MHz，電極為平行板電容式結構，電極間距為2.1cm，摻雜劑為B₂H₆。

9.根據權利要求7所述的用于制造基于納米硅薄膜復合陽極的微腔式OLED的方法，其特征在于：上述P型摻雜納米晶硅薄膜（31）的制備條件為：硅烷濃度為2％，襯底溫度為230℃,沉積壓強為0.7Torr，功率的變化范圍為12～20w，硼摻雜濃度為0.8％。