[發明專利]有機釕絡合物以及使用該釕絡合物的釕薄膜的制造方法

無效

• 申請號: 201310302821.6
• 申請日: 2007-07-26
• 公開（公告）號: CN103408598A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 角田巧;長谷川千尋;金戶宏樹;二瓶央
• 申請（專利權）人: 宇部興產株式會社
• 主分類號: C07F15/00
• 分類號: C07F15/00;C23C16/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

本發明是申請號為200780035318.1的發明專利的分案申請，母案的申請日為2007年7月26日，母案的發明名稱為“有機釕絡合物以及使用該釕絡合物的釕薄膜的制造方法”。?

技術領域

本發明涉及在形成釕薄膜時能使用的有機釕絡合物。本發明還涉及使用該有機釕絡合物、并利用化學氣相沉積法(Chemical?Vapor?Deposition法；以下稱為CVD法)來制造釕薄膜特別是含金屬釕的薄膜的方法。?

背景技術

近年來，作為DRAM等的半導體器件的薄膜電極材料，正在研究使用例如利用了金屬釕或釕氧化物的比電阻值等電特性優異的優點的金屬釕或釕氧化物。特別是金屬釕，電特性優于釕氧化物，優選作為半導體器件的薄膜電極材料。作為這些含釕薄膜的制造方法，例如最常采用易制造均一薄膜的CVD法來成膜，需要有與其相應的原料化合物。?

作為采用CVD法的含釕原子薄膜制造用原料，廣泛使用例如以β-二酮根或環戊二烯基衍生物為配位基的釕絡合物。具有這些配位基的釕絡合物的穩定性和升華性優異，能作為CVD法中的釕源使用。?

其中，特別公開了使以二烯化合物為配位基的β-二酮根釕絡合物(例如參照非專利文獻1。另外，一部分為公知化合物，常溫下為固體)與氧氣在高溫下反應，采用CVD法來得到金屬釕薄膜和氧化釕薄膜的混合膜(例如參照專利文獻1和非專利文獻2)。但是，在該方法中，由于使用氧氣，不僅無法避免混入電阻值遠大于金屬釕的氧化釕，而且因成膜溫度高，導致在釕薄膜中混入碳原子等雜質原子，使比電阻值下降。?

此外，還公開了使以β-二酮根和羰基為配位基的釕絡合物與氫在高溫?下反應，采用CVD法來得到金屬釕薄膜的方法(例如參照專利文獻2)。但是，在該方法中，盡管使用氫氣，但還是會混入使比電阻值下降的氧化釕(薄膜中的氧含量為2～3％)。?

另外，在專利文獻3中，公開了以具有烷氧基烷基甲基的β-二酮根為配位基的釕絡合物作為采用CVD法的薄膜制造用原料。這里公開的釕絡合物不具有二烯化合物作為配位基。?

專利文獻1：日本專利特開2003-306472號公報?

專利文獻2：美國專利第6303809號公報?

專利文獻3：國際公開第2005/087697號公報?

非專利文獻1：J.Organomet.Chem.，65，89(1974)?

非專利文獻2：J.Phys.IVFrance，11，Pr3-325(2001)?

發明內容

本發明的技術問題在于提供解決上述問題，并且具有低熔點且對水分、空氣及熱的穩定性優異、且適用于CVD法成膜的有機釕絡合物。本發明的技術問題還在于使用該有機釕絡合物的含釕薄膜的制造方法。?

另外，本發明的技術問題還在于提供使用該釕絡合物或其他釕絡合物，并且不會混入氧化釕的、采用化學氣相沉積法來制造含金屬釕薄膜的方法。?

本發明涉及如下技術方案。?

1.一種有機釕絡合物，其是通式(1-1)表示的、以具有烷氧基烷基甲基的β-二酮根和具有至少2個雙鍵的不飽和烴化合物為配位基的有機釕絡合物，?

式中，X是通式(1-2)表示的基團，?

其中，R^a和R^b表示碳原子數為1～5的直鏈或支鏈狀的烷基，Y表示通式(1-2)表示的基團或碳原子數為1～8的直鏈或支鏈狀的烷基，Z表示氫原子或碳原子數為1～4的烷基，L表示具有至少2個雙鍵的不飽和烴化合物。?

2.根據上述1所述的有機釕絡合物，其中，具有至少2個雙鍵的不飽和烴化合物是1，5-己二烯、1，5-環辛二烯、降冰片二烯、4-乙烯基-1-環己烯或1，3-戊二烯。?

3.一種利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其用上述1所述的有機釕絡合物或有機釕絡合物的溶劑溶液作為釕供給源。?

4.一種利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其使用上述1所述的有機釕絡合物或有機釕絡合物的溶劑溶液和氫源。?

5.根據上述4所述的含釕薄膜的制造方法，其中，氫源為氫氣。?

6.一種利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其使用上述1所述的有機釕絡合物或有機釕絡合物的溶劑溶液和氧源。?

7.根據上述6所述的含釕薄膜的制造方法，其中，氧源為氧氣。?