[發明專利]有機釕絡合物以及使用該釕絡合物的釕薄膜的制造方法

無效

• 申請號: 201310302821.6
• 申請日: 2007-07-26
• 公開（公告）號: CN103408598A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 角田巧;長谷川千尋;金戶宏樹;二瓶央
• 申請（專利權）人: 宇部興產株式會社
• 主分類號: C07F15/00
• 分類號: C07F15/00;C23C16/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種雙(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合釕，

其用式(2-1)表示，

2.根據權利要求1所述的雙(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合釕，

其是利用化學氣相沉積法的含金屬釕薄膜制造用釕絡合物。

3.一種利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其中，

使用權利要求1所述的雙(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合釕或雙(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合釕的溶劑溶液作為釕供給源。

4.一種利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其中，

使用權利要求1所述的雙(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合釕或雙(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合釕的溶劑溶液和氫源。

5.根據權利要求4所述的含釕薄膜的制造方法，其中，

氫源是氫氣。

6.一種利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其中，

使用權利要求1所述的雙(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合釕或雙(乙酰丙酮根)(1，5-己二烯)合釕的溶劑溶液和氧源。

7.根據權利要求6所述的含釕薄膜的制造方法，其中，

氧源是氧氣。

8.根據權利要求6所述的含釕薄膜的制造方法，其中，

所制造的含釕薄膜是實質上不含氧原子的金屬釕膜。

9.根據權利要求3所述的利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其中，

使用的溶劑是從由脂肪烴類、芳香烴類以及醚類構成的組中選擇的至少1種溶劑。

10.一種雙(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合釕，

其用式(3-1)表示，

11.根據權利要求10所述的雙(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合釕，

其是利用化學氣相沉積法的含金屬釕薄膜制造用釕絡合物。

12.一種利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其中，

使用權利要求10所述的雙(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合釕或雙(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合釕的溶劑溶液作為釕供給源。

13.一種利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其中，

使用權利要求10所述的雙(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合釕或雙(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合釕的溶劑溶液和氫源。

14.根據權利要求13所述的含釕薄膜的制造方法，其中，

氫源是氫氣。

15.一種利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其中，

使用權利要求10所述的雙(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合釕或雙(乙酰丙酮根)(1，3-戊二烯)合釕的溶劑溶液和氧源。

16.根據權利要求15所述的含釕薄膜的制造方法，其中，

氧源是氧氣。

17.根據權利要求12所述的利用化學氣相沉積法的含釕薄膜的制造方法，其中，

使用的溶劑是從由脂肪烴類、芳香烴類以及醚類構成的組中選擇的至少1種溶劑。

18.一種利用化學氣相沉積法的含金屬釕薄膜的制造方法，其特征在于，

使用釕供給源和氫源，

所述釕供給源為用式(4-1)表示的、以β-二酮根和具有至少2個雙鍵的不飽和烴化合物作為配位基的有機釕絡合物或其溶劑溶液，

式中，X⁴和Y⁴是直鏈或支鏈狀的烷基，其中X⁴和Y⁴中含有的碳原子數總計為2～10，Z⁴表示氫原子或碳原子數為1～4的烷基，L⁴表示具有至少2個雙鍵的不飽和烴化合物。

19.根據權利要求18所述的利用化學氣相沉積法的含金屬釕薄膜的制造方法，其中，

具有至少2個雙鍵的不飽和烴化合物是1，5-己二烯、1，5-環辛二烯、降冰片二烯、4-乙烯基-1-環己烯或1，3-戊二烯。