[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310302716.2
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN104300086A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;黃輝;馮小明;王平
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明還涉及該有機電致發(fā)光器件的制備方法。

背景技術(shù)

在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差（如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達玻璃，就會發(fā)生全反射），引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足，提供一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法，通過制備陰極復(fù)合層，來提高有機電致發(fā)光器件的出光效率。

本發(fā)明針對上述技術(shù)問題而提出的技術(shù)方案為：一種有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊為：陽極導(dǎo)電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極復(fù)合層，所述陰極復(fù)合層由依次層疊的第五副族金屬氧化物層、結(jié)晶層和第五副族金屬化合物摻雜層組成；其中，

所述第五副族金屬氧化物層的材質(zhì)為五氧化二鉭、五氧化二鈮或五氧化二釩；

所述結(jié)晶層的材質(zhì)為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂或酞菁釩；

所述的第五副族金屬化合物摻雜層由質(zhì)量比為1:1~5:1的第五副族金屬化合物與高功函數(shù)金屬組成，該第五副族金屬化合物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或五氧化二釩，該高功函數(shù)金屬為銀、鋁、鉑或金。

進一步地，所述第五副族金屬氧化物層的厚度為10nm～40nm。

進一步地，所述結(jié)晶層的厚度為200nm～400nm。

進一步地，所述第五副族金屬化合物摻雜層的厚度為200nm～500nm。

進一步地，所述陽極導(dǎo)電基底的材質(zhì)為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃；

所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；

所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-（1-萘基）-?N，N′-二苯基-4,4′-聯(lián)苯二胺；

所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁；

所述電子傳輸層的材質(zhì)為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。

本發(fā)明還提出一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其包括如下步驟：

(a)清洗干凈陽極導(dǎo)電基底，用蒸鍍的方法在陽極導(dǎo)電基底上依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；

(b)在蒸鍍的方法下，在電子注入層上制備第五副族金屬氧化物層，然后在第五副族金屬氧化物層上制備結(jié)晶層，接著在結(jié)晶層上制備第五副族金屬化合物摻雜層；其中，

所述第五副族金屬氧化物層的材質(zhì)為五氧化二鉭、五氧化二鈮或五氧化二釩；

所述結(jié)晶層的材質(zhì)為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂或酞菁釩；

所述的第五副族金屬化合物摻雜層具有質(zhì)量比為1:1~5:1的第五副族金屬化合物與高功函數(shù)金屬，該第五副族金屬化合物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或五氧化二釩，該高功函數(shù)金屬為銀、鋁、鉑或金。

進一步地，所述第五副族金屬氧化物層的厚度為10nm～40nm。

進一步地，所述結(jié)晶層的厚度為200nm～400nm。

進一步地，所述的第五副族金屬化合物摻雜層的厚度為200nm～500nm。

進一步地，所述蒸鍍的壓強為2×10^-3~5×10^-5Pa，在空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極復(fù)合層中，有機材料的蒸鍍速率為0.1~1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1~10nm/s，蒸鍍的能量密度為10～l00W/cm²。