[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310302716.2
• 申請日: 2013-07-18
• 公開（公告）號: CN104300086A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;馮小明;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種有機電致發光器件，該有機電致發光器件為層狀結構，該層狀結構依次層疊為：陽極導電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極復合層，其特征在于，所述陰極復合層由依次層疊的第五副族金屬氧化物層、結晶層和第五副族金屬化合物摻雜層組成；其中，

所述第五副族金屬氧化物層的材質為五氧化二鉭、五氧化二鈮或五氧化二釩；

所述結晶層的材質為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂或酞菁釩；

所述的第五副族金屬化合物摻雜層由質量比為1:1~5:1的第五副族金屬化合物與高功函數金屬組成，該第五副族金屬化合物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或五氧化二釩，該高功函數金屬為銀、鋁、鉑或金。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第五副族金屬氧化物層的厚度為10nm～40nm。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述結晶層的厚度為200nm～400nm。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第五副族金屬化合物摻雜層的厚度為200nm～500nm。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，

所述陽極導電基底的材質為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃；

所述空穴注入層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；

所述空穴傳輸層的材質為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-（1-萘基）-?N，N′-二苯基-4,4′-聯苯二胺；

所述發光層的材質為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁；

所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述電子注入層的材質為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或者氟化鋰。

6.?一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)清洗干凈陽極導電基底，用蒸鍍的方法在陽極導電基底上依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層；

(b)在蒸鍍的方法下，在電子注入層上制備第五副族金屬氧化物層，然后在第五副族金屬氧化物層上制備結晶層，接著在結晶層上制備第五副族金屬化合物摻雜層；其中，

所述第五副族金屬氧化物層的材質為五氧化二鉭、五氧化二鈮或五氧化二釩；

所述結晶層的材質為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂或酞菁釩；

所述的第五副族金屬化合物摻雜層具有質量比為1:1~5:1的第五副族金屬化合物與高功函數金屬，該第五副族金屬化合物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或五氧化二釩，該高功函數金屬為銀、鋁、鉑或金。

7.?根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第五副族金屬氧化物層的厚度為10nm～40nm。

8.?根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述結晶層的厚度為200nm～400nm。

9.?根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的第五副族金屬化合物摻雜層的厚度為200nm～500nm。

10.?根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述蒸鍍的壓強為2×10^-3~5×10^-5Pa，在空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極復合層中，有機材料的蒸鍍速率為0.1~1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1~10nm/s，蒸鍍的能量密度為10～l00W/cm²。