[發明專利]基于SiGe BiCMOS的寬帶射頻芯片靜電保護電路

有效

• 申請號: 201310302691.6
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103400841A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 莊奕琪;李振榮;李國華;靳剛;李聰
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/06;H01L27/04;H01L23/60
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心 61205
• 代理人: 王品華;朱紅星

1.一種基于SiGe?BiCMOS的寬帶射頻芯片靜電保護電路，包括：

集成襯底靜電放電ESD二極管，其位于寬帶射頻輸入輸出端口，用于釋放負向瞬態靜電放電ESD脈沖事件發生時所產生的輸入輸出端口與接地端口之間的大電流；

集成N阱靜電放電ESD二極管，其位于寬帶射頻輸入輸出端口，用于釋放正向瞬態靜電放電ESD脈沖事件發生時所產生的輸入輸出端口與電源端口之間的大電流；

其特征在于：

所述的集成襯底靜電放電ESD二極管，由1個或多個襯底靜電防護ESD二極管組成，每個二極管的陰極陽極摻雜區及金屬接觸條均采用梯型叉指結構；二極管的外圍填充有多晶硅材料，以對二極管自身進行隔離；

所述的集成N阱靜電放電ESD二極管，由1個或多個N阱靜電防護ESD二極管組成，每個二極管的陰極陽極摻雜區及金屬接觸條均采用梯形叉指型結構；二極管的外圍填充有多晶硅材料，以對二極管自身進行隔離，二極管的下方設有N型埋層和N型外延層，以減小二極管的寄生效應。

2.根據權利要求1所述的靜電保護電路，其特征在于：所述的梯型叉指結構，是指梯形長邊為叉指的始端，梯形短邊為叉指的末端，梯形兩條斜邊為叉指斜邊線。

3.根據權利要求2所述的靜電保護電路，其特征在于：所述的叉指斜邊線采用交替的0度分段走線和45度角分段走線形成的鋸齒狀斜邊線。

4.根據權利要求2所述的靜電保護電路，其特征在于：所述的叉指斜邊線進一步采用交替的0度分段走線和90度角分段走線形成的鋸齒狀斜邊線。

5.根據權利要求1所述的靜電保護電路，其特征在于：所述的多晶硅材料，指采用西門子法氣相淀積產生的柱狀多晶硅材料。

6.根據權利要求1所述的靜電保護電路，其特征在于：所述的N型埋層，是采用高溫熱擴散將雜質材料磷P或砷As摻雜至襯底中形成的N型雜質擴散區。

7.根據權利要求1所述的靜電保護電路，其特征在于：所述的N型外延層，是采用化學氣相淀積將雜質材料磷P或砷As與硅Si材料一起淀積在襯底上形成的單晶N型外延薄膜。