[發(fā)明專利]一種高精度基準(zhǔn)電壓源有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310301513.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103412611A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方健;王賀龍;谷洪波;潘華;袁同偉;黃帥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G05F3/26 | 分類號(hào): | G05F3/26 |
| 代理公司: | 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李順德;王睿 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高精度 基準(zhǔn) 電壓 | ||
1.一種高精度基準(zhǔn)電壓源,其特征在于,包括基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊、基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊、第一至第二NMOS管;
所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊的第一輸出端與第一NMOS管的柵極和漏極以及基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊的第一輸入端連接、第二輸出端與第二NMOS管的柵極和漏極以及基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊的第二輸入端連接、第三輸出端與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊的第三輸入端連接、電源端與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊的電源端均接電源VDD、接地端與基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊的接地端、第一NMOS管的源極和第二NMOS管的源極均接地;
所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊的輸出端為高精度基準(zhǔn)電壓源的輸出端Vref。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度基準(zhǔn)電壓源,其特征在于,所述基準(zhǔn)電路產(chǎn)生模塊包括啟動(dòng)電路和基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路,所述啟動(dòng)電路的輸出端連接基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路的輸入端,所述基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路包括:第一至第四PMOS管、第一電阻、第三至第四NMOS管;其中,
第一至第四PMOS管的源極均接電源VDD;
第一至第四PMOS管的柵極相互連接并與第二PMOS管的漏極和第四NMOS管的漏極連接,作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊的第三輸出端;
第一PMOS管的漏極與第一電阻的一端和第三NMOS管的柵極連接;
第一電阻的另一端和第三NMOS管的漏極以及第四NMOS管的柵極連接;
第三NMOS管和第四NMOS管的源極接地;
第三PMOS管的漏極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊的第一輸出端;
第四PMOS管的漏極作為基準(zhǔn)電流產(chǎn)生模塊的第二輸出端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高精度基準(zhǔn)電壓源,其特征在于,所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生模塊包括第五至第八PMOS管、第一至第二運(yùn)算放大器、第二至第四電阻;其中,
第五至第八PMOS管的源極和第一至第二運(yùn)算放大器的電源端均接電源VDD;
第一至第二運(yùn)算放大器的偏置輸入端均與基準(zhǔn)電路產(chǎn)生模塊的第三輸出端連接;
第一運(yùn)算放大器的反向輸入端與基準(zhǔn)電路產(chǎn)生模塊的第一輸出端連接、同向輸入端與第五PMOS管的漏極和第二電阻的一端連接、輸出端與第五PMOS管和第六PMOS管的柵極連接;
第二運(yùn)算放大器的反向輸入端與基準(zhǔn)電路產(chǎn)生模塊的第二輸出端連接、同向輸入端與第八PMOS管的漏極和第三電阻的一端連接、輸出端與第七PMOS管和第八PMOS管的柵極連接;
第六PMOS管的漏極和第七PMOS管的漏極以及第四電阻的一端連接作為高精度基準(zhǔn)電壓源的輸出端Vref;
第二至第四電阻的另一端均接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高精度基準(zhǔn)電壓源,其特征在于,所述第一運(yùn)算放大器包括第九至第十二PMOS管、第五至第七NOMS管和第一電容;其中,
第九至第十PMOS管的源極均接電源VDD、柵極相連接后作為第一運(yùn)算放大器的偏置輸入端;
第九PMOS管的漏極連接第十一PMOS管和第十二PMOS管的源極;
第十一PMOS管的柵極為第一運(yùn)算放大器的反向輸入端、漏極連接第五NMOS管的漏極和柵極以及第六NMOS管的柵極;
第十二PMOS管的柵極為第一運(yùn)算放大器的同向輸入端、漏極連接第六NMOS管的漏極、第一電容的一端和第七NMOS管的柵極;
第一電容的另一端、第七NMOS管的漏極和第十PMOS管的漏極連接作為第一運(yùn)算放大器的輸出端;
第五至第七NMOS管的源極均接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高精度基準(zhǔn)電壓源,其特征在于,所述第一運(yùn)算放大器和第二運(yùn)算放大器的結(jié)構(gòu)相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高精度基準(zhǔn)電壓源,其特征在于,所述啟動(dòng)電路包括第十三至第十五PMOS管、第八至第九NMOS管;其中,
第十三至第十五PMOS管的源極均接電源VDD;
第十三PMOS管的柵極和漏極相連并與第八NMOS管的漏極和第九NMOS管的柵極連接;
第十四PMOS管的柵極和漏極、第十五PMOS管的柵極相連和第九NMOS管的漏極連接;
第十五PMOS管的漏極為啟動(dòng)電路的第一輸出端;
第八NMOS管的柵極為啟動(dòng)電路的第二輸出端;
第八至第九NMOS管的源極均接地。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310301513.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





