[發(fā)明專利]電鍍以及實(shí)施電鍍的裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310300970.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104047042A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高承遠(yuǎn);蘇鴻文;蔡明興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C25D7/12 | 分類號(hào): | C25D7/12;C25D5/02;H01L21/288;H01L21/445 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電鍍 以及 實(shí)施 裝置 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2013年3月11日提交的標(biāo)題為“Electro-Plating?and?Apparatus?for?Performing?the?Same”的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)第61/776,744號(hào)的優(yōu)先權(quán),其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總的來說涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,更具體地,涉及電鍍以及實(shí)施電鍍的裝置。
背景技術(shù)
電鍍是在半導(dǎo)體晶圓上沉積金屬和金屬合金的常用方法。在典型電鍍工藝中,在晶圓表面上沉積諸如銅晶種層的覆蓋金屬晶種層。晶圓表面可以具有例如溝槽的圖案。此外,晶圓的頂面也可以具有圖案化掩模層以覆蓋金屬晶種層的一些部分,而未覆蓋金屬晶種層的剩余部分。金屬沉積在金屬晶種層的未被覆蓋的一部分上。
為實(shí)施電鍍,晶圓安裝在夾具殼體(clamshell)上,夾具殼體包括與金屬晶種層位于晶圓邊緣上的部分接觸的多個(gè)電接觸件。晶圓放置在電鍍液內(nèi)。金屬晶種層與DC電源的負(fù)極端連接,使得金屬晶種層用作陰極。金屬板提供被電鍍的金屬的電子,并且用作陽(yáng)極,其中電鍍液將陽(yáng)極與陰極分隔開。當(dāng)電壓施加在陰極和陽(yáng)極之間時(shí),金屬電鍍中的原子被電離并遷移到電鍍液內(nèi)。離子最終沉積在晶圓上。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種方法,包括在工件上電鍍金屬層,其中,電鍍包括:將工件的表面暴露于電鍍液;將第一電源的負(fù)極端的第一電壓提供給工件的邊緣部分;將第二電壓提供給工件的第一內(nèi)部部分,第一內(nèi)部部分比邊緣部分更接近工件的中心;以及將第一電源的正極端連接至金屬板,金屬板和工件通過電鍍液彼此間隔開并且均與電鍍液接觸。
優(yōu)選地,工件的第一內(nèi)部部分是工件的中心部分。
優(yōu)選地,工件的第一內(nèi)部部分包括在工件的第一芯片中,工件的第一芯片的表面分布(surface?profile)不同于多個(gè)芯片在工件中的表面分布,并且第一芯片包括平坦接觸焊盤,通過電接觸件將第一電壓施加在平坦接觸焊盤上。
優(yōu)選地,當(dāng)電接觸件與平坦接觸焊盤物理接觸時(shí),通過密封環(huán)密封平坦接觸焊盤,并且密封環(huán)與平坦接觸焊盤接觸。
優(yōu)選地,第一電壓基本等于第二電壓。
優(yōu)選地,通過第一電源提供第二電壓。
優(yōu)選地,第一電壓不同于第二電壓,并且通過與第一電源不同的第二電源提供第二電壓。
優(yōu)選地,該方法進(jìn)一步包括:當(dāng)實(shí)施電鍍時(shí),使工件旋轉(zhuǎn);以及使用與工件一起旋轉(zhuǎn)的葉片攪動(dòng)電鍍液。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種方法,包括通過電鍍步驟在晶圓上電鍍金屬層,其中,電鍍包括:將晶圓的表面暴露于電鍍液;將第一電壓提供給晶圓的邊緣部分,通過與晶圓的邊緣部分接觸的多個(gè)電接觸件連接第一電壓,并且多個(gè)電接觸件與鄰近晶圓的邊緣的環(huán)對(duì)準(zhǔn);以及將第二電壓提供給晶圓的中心部分,在電鍍過程中,晶圓用作陰極,并且金屬板作為陽(yáng)極,將金屬板中的金屬電鍍到晶圓上。
優(yōu)選地,第一電壓和第二電壓基本彼此相等。
優(yōu)選地,該方法進(jìn)一步包括:當(dāng)實(shí)施電鍍時(shí),使晶圓旋轉(zhuǎn);以及使用與晶圓一起旋轉(zhuǎn)的葉片攪動(dòng)電鍍液。
優(yōu)選地,該方法進(jìn)一步包括:通過嵌入葉片的電連接線將第二電壓提供給晶圓。
優(yōu)選地,該方法進(jìn)一步包括:將第三電壓連接至晶圓的一部分,其中,晶圓的一部分介于晶圓的中心部分和晶圓的邊緣部分之間。
優(yōu)選地,晶圓的中心部分包括在晶圓的中心芯片中,晶圓的中心芯片的表面分布不同于多個(gè)芯片在晶圓中的表面分布,并且中心芯片包括平坦接觸焊盤,將第一電壓施加在平坦接觸焊盤上。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面,提供了一種被配置為在晶圓上實(shí)施電鍍的裝置,包括:第一電接觸件,被配置為與晶圓的邊緣部分接觸;第一電源,與第一電接觸件電連接,第一電源被配置為將第一電壓提供給晶圓的邊緣部分;以及第二電接觸件,被配置為與晶圓的內(nèi)部部分接觸,通過晶圓的邊緣部分環(huán)繞晶圓的內(nèi)部部分。
優(yōu)選地,第二電接觸件與第一電源電連接。
優(yōu)選地,該裝置進(jìn)一步包括:與第二電接觸件電連接的第二電源,第二電源被配置為提供不同于第一電壓的第二電壓。
優(yōu)選地,該裝置進(jìn)一步包括可伸縮的電極,其中,可伸縮的電極包括:第二電接觸件;以及密封環(huán),環(huán)繞第二電接觸件,密封環(huán)包括柔性材料,并且第二電接觸件的表面與密封環(huán)的表面共面。
優(yōu)選地,裝置被配置為使晶圓旋轉(zhuǎn),其中,裝置進(jìn)一步包括被配置為當(dāng)晶圓旋轉(zhuǎn)時(shí)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的葉片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310300970.9/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動(dòng)終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





