[發明專利]電鍍以及實施電鍍的裝置

在審

• 申請號: 201310300970.9
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN104047042A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 高承遠;蘇鴻文;蔡明興
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C25D7/12
• 分類號: C25D7/12;C25D5/02;H01L21/288;H01L21/445
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

在工件上電鍍金屬層，其中，所述電鍍包括：

將所述工件的表面暴露于電鍍液；

將第一電源的負極端的第一電壓提供給所述工件的邊緣部分；

將第二電壓提供給所述工件的第一內部部分，所述第一內部部分比所述邊緣部分更接近所述工件的中心；以及

將所述第一電源的正極端連接至金屬板，所述金屬板和所述工件通過所述電鍍液彼此間隔開并且均與所述電鍍液接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述工件的所述第一內部部分是所述工件的中心部分。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述工件的所述第一內部部分包括在所述工件的第一芯片中，所述工件的所述第一芯片的表面分布不同于多個芯片在所述工件中的表面分布，并且所述第一芯片包括平坦接觸焊盤，通過電接觸件將所述第一電壓施加在所述平坦接觸焊盤上。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，當所述電接觸件與所述平坦接觸焊盤物理接觸時，通過密封環密封所述平坦接觸焊盤，并且所述密封環與所述平坦接觸焊盤接觸。

5.一種方法，包括：

通過電鍍步驟在晶圓上電鍍金屬層，其中，所述電鍍包括：

將所述晶圓的表面暴露于電鍍液；

將第一電壓提供給所述晶圓的邊緣部分，通過與所述晶圓的邊緣部分接觸的多個電接觸件連接所述第一電壓，并且所述多個電接觸件與鄰近所述晶圓的邊緣的環對準；以及

將第二電壓提供給所述晶圓的中心部分，在電鍍過程中，所述晶圓用作陰極，并且金屬板作為陽極，將所述金屬板中的金屬電鍍到所述晶圓上。

6.根據權利要求5所述的方法，進一步包括：將第三電壓連接至所述晶圓的一部分，其中，所述晶圓的所述一部分介于所述晶圓的中心部分和所述晶圓的邊緣部分之間。

7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述晶圓的中心部分包括在所述晶圓的中心芯片中，所述晶圓的所述中心芯片的表面分布不同于多個芯片在所述晶圓中的表面分布，并且所述中心芯片包括平坦接觸焊盤，將所述第一電壓施加在所述平坦接觸焊盤上。

8.一種被配置為在晶圓上實施電鍍的裝置，所述裝置包括：

第一電接觸件，被配置為與所述晶圓的邊緣部分接觸；

第一電源，與所述第一電接觸件電連接，所述第一電源被配置為將第一電壓提供給所述晶圓的邊緣部分；以及

第二電接觸件，被配置為與所述晶圓的內部部分接觸，通過所述晶圓的邊緣部分環繞所述晶圓的內部部分。

9.根據權利要求8所述的裝置，進一步包括可伸縮的電極，其中，所述可伸縮的電極包括：

所述第二電接觸件；以及

密封環，環繞所述第二電接觸件，所述密封環包括柔性材料，并且所述第二電接觸件的表面與所述密封環的表面共面。

10.根據權利要求8所述的裝置，進一步包括第三電接觸件，所述第三電接觸件被配置為與所述晶圓的位于所述邊緣部分和所述內部部分之間的部分接觸，其中，通過所述晶圓的所述邊緣部分環繞所述晶圓的這一部分。