[發明專利]利用根快速繁殖雜交蘭的方法及培養基有效
| 申請號： | 201310299505.8 | 申請日： | 2013-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN103329807A | 公開（公告）日： | 2013-10-02 |
| 發明（設計）人： | 張建軍;周音;陳敏敏;謝紀紅 | 申請（專利權）人： | 上海市農業科學院 |
| 主分類號： | A01H4/00 | 分類號： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 牛山;陳少凌 |
| 地址： | 201106 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 快速 繁殖 雜交 方法 培養基 | ||
1.一種利用根快速繁殖雜交蘭的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一，選取雜交蘭的根段，接種在誘導培養基上暗培養，誘導、增殖原球莖；
步驟二，將所述誘導培養基上的原球莖轉入光培養，原球莖發育成叢生苗；
步驟三，將所述叢生苗切割成單苗轉接到壯苗生根培養基上，培養得到生根植株。
2.如權利要求1所述的利用根快速繁殖雜交蘭的方法，其特征在于，步驟一中的誘導培養基和步驟二中轉入光培養所用的培養基為同一種誘導培養基，所述誘導培養基為MS+6-BA0.5mg/L+PIC0.6mg/L+水解酪蛋白200mg/L+蔗糖30000mg/L+瓊脂粉5000mg/L。
3.如權利要求1所述的利用根快速繁殖雜交蘭的方法，其特征在于，步驟三中，所述壯苗生根培養基為MS+AC100mg/L+水解酪蛋白500mg/L+蔗糖30000mg/L+瓊脂粉5000mg/L。
4.如權利要求1所述的利用根快速繁殖雜交蘭的方法，其特征在于，步驟一中，所述暗培養的溫度為25±2℃。
5.如權利要求1所述的利用根快速繁殖雜交蘭的方法，其特征在于，步驟二中，所述光培養的溫度為25±2℃。
6.如權利要求1所述的利用根快速繁殖雜交蘭的方法，其特征在于，步驟三中，所述培養為光培養，培養的溫度為25±2℃。
7.一種用于利用根快速繁殖雜交蘭的方法的誘導培養基，其特征在于，所述誘導培養基能夠誘導、增殖原球莖和使原球莖發育成叢生苗，所述誘導培養基為在MS基本培養基中，同時添加6-BA和PIC。
8.如權利要求7所述的誘導培養基，其特征在于，所述誘導培養基為MS+6-BA0.5mg/L+PIC0.6mg/L+水解酪蛋白200mg/L+蔗糖30000mg/L+瓊脂粉5000mg/L。
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