[發(fā)明專(zhuān)利]快閃存儲(chǔ)器及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310298080.9
• 申請(qǐng)日: 2013-07-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104299944B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫光宇;宋化龍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11517
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11517
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成隧道介質(zhì)層，所述隧道介質(zhì)層包括凸起，所述凸起定義浮置柵極的位置，所述隧道介質(zhì)層的材料為低k材料，低k材料為無(wú)定形碳氮、多晶硼氮、氟硅玻璃、多孔SiOCH和多孔金剛石中的一種或幾種；

在所述隧道介質(zhì)層上由下至上依次形成浮置柵極、柵間介質(zhì)層和控制柵極，所述浮置柵極覆蓋所述凸起的上表面和側(cè)壁，所述柵間介質(zhì)層的材料為高k材料。

2.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述隧道介質(zhì)層的形成方法包括：

在所述基底上形成第一介質(zhì)材料層；

圖形化所述第一介質(zhì)材料層，圖形化的第一介質(zhì)材料層定義凸起的位置；

在所述基底和圖形化的第一介質(zhì)材料層上采用淀積法或熱氧化法形成第二介質(zhì)材料層；

圖形化的第一介質(zhì)材料層和第二介質(zhì)材料層構(gòu)成隧道介質(zhì)層。

3.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述隧道介質(zhì)層的形成方法包括：

在所述基底上形成介質(zhì)材料層；

在所述介質(zhì)材料層上形成圖形化的掩膜層，所述圖形化的掩膜層定義凸起的位置；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕部分厚度的所述介質(zhì)材料層，形成隧道介質(zhì)層。

4.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述隧道介質(zhì)層的形成方法包括：

在所述基底上形成第一介質(zhì)材料層；

在所述第一介質(zhì)材料層上形成具有窗口的掩膜層，所述窗口定義凸起的位置；

以所述掩膜層為掩膜，在所述窗口內(nèi)填充第二介質(zhì)材料層，所述第二介質(zhì)材料層為所述凸起；

所述第一介質(zhì)材料層和所述第二介質(zhì)材料層構(gòu)成所述隧道介質(zhì)層。

5.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，在所述隧道介質(zhì)層上由下至上依次形成浮置柵極、柵間介質(zhì)層和控制柵極的方法包括：

在所述隧道介質(zhì)層上由下至上依次形成浮置柵極材料層、柵間介質(zhì)材料層和控制柵極材料層；

在所述控制柵極材料層上形成圖形化的掩膜層，所述圖形化的掩膜層定義浮置柵極的位置；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕所述浮置柵極材料層、柵間介質(zhì)材料層和控制柵極材料層，刻蝕至所述隧道介質(zhì)層上表面，形成浮置柵極、柵間介質(zhì)層和控制柵極。

6.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，在所述隧道介質(zhì)層上由下至上依次形成浮置柵極、柵間介質(zhì)層和控制柵極的方法包括：

在所述隧道介質(zhì)層上形成浮置柵極材料層；

在所述浮置柵極材料層上形成圖形化的掩膜層，所述圖形化的掩膜層定義浮置柵極的位置；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕所述浮置柵極材料層，形成浮置柵極；

在所述浮置柵極上表面和側(cè)壁，以及所述隧道介質(zhì)層上表面形成柵間介質(zhì)層和控制柵極。

7.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述柵間介質(zhì)層的材料為SiO₂，Si₃N₄，HfSiON、HfO₂、HfSiO、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al₂O₃、La₂O₃、ZrO₂和LaAlO中的一種或幾種。

8.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述柵間介質(zhì)層為三層結(jié)構(gòu)，其中中間層的材料為氮化硅，其他兩層的材料為氧化硅。

9.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述浮置柵極的材料為多晶硅；

所述控制柵極的材料為多晶硅。