[發明專利]像素控制結構及其陣列和制作方法、電子顯示器及其背板

有效

• 申請號: 201310296618.2
• 申請日: 2013-07-16
• 公開（公告）號: CN103579288A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: N.A.J.M.范阿爾勒;E.范維南達爾;P.范利肖特;C.W.塞勒;J.P.V.馬斯
• 申請（專利權）人: 創造者科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L23/528
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種用于電子裝置的背板的像素控制結構，包括：

晶體管，具有一柵極；

源極；

漏極；以及

有機半導體元件，該有機半導體元件電連接至該源極及該漏極；

其中該像素控制結構的形成是利用包括該柵極的一第一圖案化導電層部分、包括該源極及該漏極的一第二圖案化導電層部分、分隔該第一導電層部分及該第二導電層部分的一介電層部分、以及包括該晶體管的該有機半導體元件的一圖案化半導體層部分；以及

其中該第一圖案化導電層部分及該第二圖案化導電層部分分別具有一第一邊緣部分及一第二邊緣部分，該第一邊緣部分及該第二邊緣部分定義一重疊區，其中該第二圖案化導電層部分與該第一圖案化導電層部分重疊，且該重疊區沿著該第一邊緣部分、該第二邊緣部分為邊界，其中該圖案化半導體層部分延伸過該重疊區上并遠離該重疊區，以便延伸過該第一邊緣部分及該第二邊緣部分，因而自該第二邊緣部分遮蔽該介電層。

2.如權利要求1所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中通過延伸遠離該重疊區以延伸過至少部分該第一邊緣部分，使得該圖案化半導體層部分具有該圖案化半導體層部分的一第一重疊部分，該第一重疊部分在使用時大體不受該第一圖案化導電層部分電性控制。

3.如權利要求2所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中該圖案化半導體層部分具有一更重疊部分，該更重疊部分在使用時大體不受到電性控制；且該第一重疊部分及該更重疊部分缺乏直接的電性路徑連接。

4.如權利要求2所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中該圖案化半導體層部分具有一更重疊部分的圖案化半導體層部分，該更重疊部分的圖案化半導體層部分于使用時大體不受該第一圖案化導電層部分的電性控制，其中該第一圖案化導電層部分與該更重疊部分的圖案化半導體層部分與以該圖案化半導體層部分向遠離該第一圖案化半導體層的該第一邊緣部分所連接，以形成一介于該第一重疊以及該更重疊部分的圖像化半導體層之間，被該第一導體層部分控制的電性通路。

5.如權利要求1所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中該重疊區大體沿著該第一邊緣部分或沿著該第二邊緣部分為邊界。

6.如權利要求1所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中該圖案化半導體層部分延伸至該重疊區上且遠離該重疊區，以便大體延伸自所有的該第一邊緣部分及該第二邊緣部分。

7.如權利要求1所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中該圖案化半導體層部分大體延伸至整個該重疊區上。

8.如權利要求1所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中該圖案化半導體層部分延伸遠離該重疊區至一第一距離，以至少部分覆蓋該第二邊緣部分，且該圖案化半導體層部分延伸遠離該重疊區至一第二距離，以至少部分延伸過該第一邊緣部分，測量該第一距離及該第二距離的方向是垂直于該第一邊緣部分及該第二邊緣部分。

9.如權利要求8所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中該第一距離至少為5微米及/或至多為100微米，及/或其中該第二距離至少為5微米及/或至多為100微米。

10.如權利要求1所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中利用一晶體管區形成至少部分的該重疊區，該晶體管區與至少部分的該柵極重疊，且至少部分延伸至該源極及該漏極下，該晶體管區沿著一第一晶體管邊緣部分為邊界，該第一邊緣部分形成至少部分的該第一邊緣部分，且該晶體管區沿著一第二晶體管邊緣部分為邊界，該第二晶體管邊緣部分形成至少部分的該第二邊緣部分，其中該圖案化半導體層部分延伸過該晶體管區上并遠離該晶體管區，以便延伸過該第一晶體管邊緣部分及該第二晶體管邊緣部分，因此遮蔽該第二邊緣部分，其中該圖案化半導體層部分延伸至該晶體管區上且遠離該晶體管區，以至少部分覆蓋該第二晶體管邊緣部分并至少部分延伸過該第一晶體管邊緣部分。

11.如權利要求10所述的用于電子裝置的背板的像素控制結構，其中該第二圖案化導電層部分的鄰近該晶體管區的部分包括一第一部分直接連接該源極，以及一第二部分直接連接該漏極，其中該第一部分及該第二部分沿著該第一晶體管邊緣部分及/或沿著該第二晶體管邊緣部分分隔超過一距離，沿著該第一晶體管邊緣部分及/或該第二晶體管邊緣部分的該距離大于25微米。