[發(fā)明專利]像素控制結(jié)構(gòu)及其陣列和制作方法、電子顯示器及其背板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310296618.2
• 申請日: 2013-07-16
• 公開（公告）號: CN103579288A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: N.A.J.M.范阿爾勒;E.范維南達爾;P.范利肖特;C.W.塞勒;J.P.V.馬斯
• 申請（專利權(quán)）人: 創(chuàng)造者科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L23/528
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于電子顯示器的背板(backplane)的像素控制結(jié)構(gòu)(pixel?control?structure)，此控制結(jié)構(gòu)包括具有柵極的晶體管、源極、漏極、以及有機半導體元件(organic?semiconductor?element)，有機半導體元件電連接至源極及漏極，通過包括柵極的第一圖案化導電層部分、包括源極及漏極的第二圖案化導電層部分、分隔第一、第二導電層部分的介電層部分、以及包括晶體管的有機半導體元件的有機圖案化半導體層部分形成像素控制結(jié)構(gòu)。本發(fā)明也有關(guān)于像素控制結(jié)構(gòu)的陣列(array)。本發(fā)明也有關(guān)于包括本發(fā)明的陣列的背板(用于電子顯示器)，特別是可撓(flexible)及選擇性的可卷(rollable)及/或可折疊(foldable)背板。本發(fā)明也有關(guān)于具有本發(fā)明的背板的電子顯示器，特別是可撓(flexible)及選擇性的可卷(rollable)及/或可折疊(foldable)的顯示器。本發(fā)明更有關(guān)于制造像素控制結(jié)構(gòu)的方法。?

背景技術(shù)

已知的顯示器通常為剛性的(rigid)，因此形成不可撓的顯示器。在近幾年，希望能形成非剛性的(亦即，可撓的)顯示器。這樣的顯示器能夠有新的應(yīng)用方式。然而，直至今日，可撓的顯示器的形成已證實為充滿挑戰(zhàn)性的目標，這些顯示器需具有欲得的機械特性對應(yīng)其可撓性，同時達到客戶所期待的顯示器的品質(zhì)及可靠度。?

形成可撓性顯示器的一個可能的方法包括利用有機半導體材料。這些材料可結(jié)合所需半導體性質(zhì)及欲得的可撓性。在制造過程中，通常在第一及第二圖案化導電層部分之間設(shè)置介電層以分隔第一、第二圖案化導電層部分。而后，通常(至少部分的)在第二圖案化的導電層部分上提供圖案化半導體層部分。?

通常，將半導體材料沉積為毯狀層(blanket)，而后進行圖案化。此圖案化可包括利用光致抗蝕劑圖案覆蓋半導體層的毯狀層，而后進行蝕刻步驟。?然而，在蝕刻時，特別是在需要過蝕刻(over-etching)的最后階段的蝕刻時，第二圖案化導電層部分及介電層部分通常也暴露于蝕刻中。因此，可能因蝕刻而部分移除第二圖案化導電部分及介電層部分。在形成像素控制結(jié)構(gòu)時，這樣的部分移除可使像素控制結(jié)構(gòu)的可靠性惡化。特別是在可撓的顯示器上，為了達到欲得的可撓性，通常更難達成其可靠度，因此上述可靠性的惡化也更為顯著。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一目的在于提供一改良的像素控制結(jié)構(gòu)，其具有改良的可靠度。本發(fā)明的另一目的可包括提供改良的像素控制結(jié)構(gòu)的陣列、提供改良的背板，其包括像素控制結(jié)構(gòu)的陣列、以及/或提供改良的顯示器，其具有像素控制結(jié)構(gòu)的陣列。本發(fā)明的另一目的在于提供改良的像素控制結(jié)構(gòu)的制造方法。?

在本發(fā)明一實施例中，提供一種用于電子裝置的背板的像素控制結(jié)構(gòu)，該控制結(jié)構(gòu)包括：一晶體管，具有一柵極；一源極；一漏極；以及一有機半導體元件，該有機半導體元件電連接至該源極及該漏極；其中該像素控制結(jié)構(gòu)的形成是利用包括該柵極的一第一圖案化導電層部分、包括該源極及該漏極的一第二圖案化導電層部分、分隔該第一導電層部分及該第二導電層部分的一介電層部分、以及包括該晶體管的該有機半導體元件的一有機圖案化半導體層部分；以及其中該第一圖案化導電層部分及該第二圖案化導電層部分分別具有一第一邊緣部分及一第二邊緣部分，該第一邊緣部分及第二邊緣部分定義一重疊區(qū)，其中該第二圖案化導電層部分與該第一圖案化導電層部分重疊，且該重疊區(qū)沿著該第一邊緣部分、該第二邊緣部分為邊界，其中該圖案化半導體層部分延伸過該重疊區(qū)上并遠離該重疊區(qū)，因而延伸自該第一邊緣部分及該第二邊緣部分。?