[發(fā)明專利]一種提高單晶硅出片率的切割工藝及其裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310296474.0
• 申請日: 2013-07-16
• 公開（公告）號: CN103350460A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發(fā)明（設計）人: 周炳利;譚鑫
• 申請（專利權）人: 錦州陽光能源有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04
• 代理公司: 錦州遼西專利事務所 21225
• 代理人: 李輝

1.一種提高單晶硅出片率的切割工藝，其特征是：

具體步驟如下：

1.1、采用由導輪和切割鋼線構成的硅錠切割裝置，導輪表面的硬度≥96A，導輪表面的磁能積為180kJ/m³～450kJ/m³；

1.2、控制導輪的轉速使切割鋼線的線速度為480m/min～680m/min，進刀速度為0.28mm/min～0.32mm/min，砂漿密度1.60g/cm³～1.70g/cm³。

2.根據(jù)權利要求1所述的提高單晶硅出片率的切割工藝，其特征是：所述導輪表面的硬度為96A～97A，導輪表面的磁能積為270kJ/m³～380kJ/m³。

3.一種提高單晶硅出片率的硅錠切割裝置，具有至少兩個導輪和切割鋼線，所述切割鋼線經(jīng)導輪表面的線槽螺旋環(huán)繞，其特征是：所述線槽的形狀為“U”形，所述切割鋼線的直徑為90μm～140μm，所述線槽的夾角為35°～70°，所述線槽的槽距為0.270mm～0.305mm，所述線槽的槽深為0.20mm～0.43mm，所述線槽的圓弧面半徑為切割鋼線半徑的0.5倍～1.5倍，所述導輪的表面設有納米磁性材料聚氨酯層。

4.根據(jù)權利要求3所述的提高單晶硅出片率的硅錠切割裝置，其特征是：所述線槽由進線端第一個線槽至出線端線槽的槽距依次遞減，所述線槽的槽距為A-B*((n-1)/N)，其中，A是進線端第一個線槽的槽距、B值為0～12μm、N是總槽數(shù)、n是第n個槽數(shù)。

5.根據(jù)權利要求3所述的提高單晶硅出片率的硅錠切割裝置，其特征是：所述納米磁性材料聚氨酯層的厚度為15mm～17mm。

6.根據(jù)權利要求3所述的提高單晶硅出片率的硅錠切割裝置，其特征是：所述線槽的夾角為50°～55°，線槽的槽距為0.285mm～0.295mm，線槽的槽深為0.21mm～0.28mm，線槽的槽底圓角半徑為切割鋼線半徑的0.9倍～1.1倍。

7.根據(jù)權利要求3所述的提高單晶硅出片率的硅錠切割裝置，其特征是：所述納米磁性材料聚氨酯層的材質為納米磁性材料與聚氨酯的混合物。

8.根據(jù)權利要求3所述的提高單晶硅出片率的硅錠切割裝置，其特征是：所述切割鋼線的材質為高強度鋼線或樹脂金剛線或電鍍金剛線。