[發明專利]靜電防護裝置在審
| 申請號: | 201310295650.9 | 申請日: | 2013-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN104299965A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 鄭朝華;陳偉斯 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 防護 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種靜電防護裝置。特定言之,本發明涉及一種具有相等的正負鉗制電壓(clamp?voltage)的靜電防護裝置。
背景技術
靜電防護是目前各種精密半導體集成電路設計制造中相當重要的一個環節。由于元件尺寸的大幅縮小,集成電路的密度不斷地提高,對于靜電力的侵入,一般的微小結構的元件都難以抵擋,極易遭受破壞。
靜電放電破壞的產生,可能肇因于許多因素,而且往往很難避免。電子元件或系統在制造、組裝、測試、存放等的過程中,靜電會累積在人體、儀器、儲放設備等之中,甚至在電子元件本身也會累積靜電,而人們在不知情的情況下,使這些物體相互接觸,因而形了一條放電路徑,使得電子元件或系統遭到靜電放電的肆虐。
因此,如何防止靜電力的傷害或是提供足以將靜電力排放的設計,便為提升產品可靠度與提高良率的重要工作。
發明內容
為解決上述問題,本發明提出的靜電防護裝置,其包含:一基底具有一第一導電型態,一摻雜阱具有一第二導電型態并且設置于基底中,一第一摻雜區具有第一導電型態并且設置于摻雜阱中,一第二摻雜區具有第一導電型態并且設置于基底中,其中部分第二摻雜區位在摻雜阱中,剩余部分的第二摻雜區不接觸摻雜阱,一正面端點電性連結第一摻雜區以及一反面端點位于基底的一反面。
本發明的靜電防護裝置,其具有相等的正負鉗制電壓,進而得到令人滿意的靜電放電防護效果。
附圖說明
圖1至圖3為本發明的靜電防護裝置的制作方法的示意圖;
圖4為圖2的上視圖的一較佳實施例;
圖5為根據本發明的較佳實施例所繪示的第一摻雜區的上視圖;
圖6為根據本發明的較佳實施例所繪示的第二摻雜區的上視圖;
圖7為圖2的上視圖的另一較佳實施例;
圖8為根據本發明的較佳實施例所繪示的次摻雜區的上視圖;
圖9繪示本發明靜電防護裝置的等效電路圖;
圖10繪示本發明靜電防護裝置的電流-電壓曲線圖。
主要元件符號說明
10???????基底????????????????12???????正面
14???????反面????????????????16???????絶緣結構
18???????主動區域????????????20???????摻雜阱
22???????第一摻雜區??????????24???????第二摻雜區
26???????介電層??????????????28???????正面端點
30???????導電插塞????????????32???????導電墊
34???????反面端點????????????100??????靜電防護裝置
124??????次摻雜區
具體實施方式
圖1至圖3為本發明的靜電防護裝置的制作方法的示意圖。如圖1所示,首先提供一基底10具有一第一導電型態,基底10通常為一半導體基材,例如硅,第一導電型態可以為P型或是N型,基底10具有一正面12和一反面14。接著在基底10的正面12中形成一絶緣結構16,以于基底10上定義出一主動區域18,絶緣結構16可以為淺溝槽隔離(STI)或場氧化層(Fox)等,整體包圍作為電絕緣之用。然后在基底10的主動區域18中形成一摻雜阱20,摻雜阱20具有第二導電型態與第一導電型態相異,第二導電型態可以為N型或是P型,舉例而言,當第一導電型態為P型時,第二導電型態則為N型;相反地,當第一導電型態為N型時,第二導電型態則為P型。在下文的實施例以第一導電型態為P型,第二導電型態為N型為例。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





