[發(fā)明專利]靜電防護(hù)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310295650.9
• 申請(qǐng)日: 2013-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN104299965A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭朝華;陳偉斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種靜電防護(hù)裝置，包含：

基底，具有第一導(dǎo)電型態(tài)；

摻雜阱，具有第二導(dǎo)電型態(tài)并且設(shè)置于該基底中；

第一摻雜區(qū)，具有該第一導(dǎo)電型態(tài)并且設(shè)置于該摻雜阱中；

第二摻雜區(qū)，具有該第一導(dǎo)電型態(tài)并且設(shè)置于該基底中，其中部分該第二摻雜區(qū)位在該摻雜阱中，剩余部分的該第二摻雜區(qū)不接觸該摻雜阱；

正面端點(diǎn)，電性連結(jié)該第一摻雜區(qū)；以及

反面端點(diǎn)，位于該基底的一反面。

2.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該第二摻雜區(qū)同時(shí)重疊部分的該摻雜阱以及該基底的一區(qū)域，該區(qū)域中沒有設(shè)置該摻雜阱。

3.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該第一摻雜區(qū)完全位在該摻雜阱內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該第一摻雜區(qū)的形狀包含圓形、矩形、橢圓形或八角形。

5.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該第二摻雜區(qū)的形狀是封閉環(huán)狀。

6.如權(quán)利要求5所述的靜電防護(hù)裝置，其中該第二摻雜區(qū)的形狀包含圓環(huán)、矩形環(huán)、橢圓形環(huán)、八角形環(huán)或跑道形環(huán)。

7.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該第二摻雜區(qū)另包含二個(gè)次摻雜區(qū)，設(shè)置于該第一摻雜區(qū)的相對(duì)兩側(cè)，并且該多個(gè)次摻雜區(qū)互不接觸。

8.如權(quán)利要求7所述的靜電防護(hù)裝置，其中各該次摻雜區(qū)的形狀包含圓形、矩形、橢圓形或八角形。

9.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該第一導(dǎo)電型態(tài)為P型，并且該第二導(dǎo)電形態(tài)為N型。

10.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該第一導(dǎo)電型態(tài)為N型，并且該第二導(dǎo)電形態(tài)為P型。

11.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該基底具有一摻質(zhì)濃度，該摻質(zhì)濃度介于E14原子數(shù)/平方厘米至E15原子數(shù)/平方厘米之間。

12.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該摻雜阱具有一摻質(zhì)濃度，該摻質(zhì)濃度介于E12原子數(shù)/平方厘米至E15原子數(shù)/平方厘米之間。

13.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，其中該第二摻雜區(qū)具有一摻質(zhì)濃度，該摻質(zhì)濃度介于E14原子數(shù)/平方厘米至E15原子數(shù)/平方厘米之間。

14.如權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)裝置，另包含一絶緣結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基底中，以定義出一主動(dòng)區(qū)域。

15.如權(quán)利要求14所述的靜電防護(hù)裝置，其中該摻雜阱、該第一摻雜區(qū)和該第二摻雜區(qū)設(shè)置于該主動(dòng)區(qū)域中。