[發明專利]放射性面源自動模擬刻度氣體源探測效率裝置及方法

有效

• 申請號: 201310294436.1
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103364818A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 田自寧;歐陽曉平;李雪松;李安;宋紀文;劉金良
• 申請（專利權）人: 西北核技術研究所
• 主分類號: G01T1/167
• 分類號: G01T1/167
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 王少文

技術領域

本發明涉及核技術應用領域中氣體源的探測效率刻度技術。具體涉及測量對象為氣體源的放射性氣體源探測效率的面源刻度裝置。?

背景技術

放射性測量是對各種放射性樣品源進行探測和分析。其中效率刻度和分析過程是其一個重要環節，只有準確可靠地進行效率刻度，才能得到樣品的有效放射性活度濃度。要探測圓柱形狀的氣體樣品，需制作與樣品尺寸相同的標準氣體源，通過該標準氣體源對探測器進行探測效率刻度，然后才能對氣體樣品進行測量分析。當樣品的形狀與標準源不相同時，制作、購買、運輸標準源耗時費力，大大降低了工作效率。?

針對上述問題，國內外主要采用LabSOCS軟件或蒙卡模擬計算實現氣體源的無源刻度，省去用標準氣體源刻度的過程，提高工作效率，但蒙卡模擬必須知道探測器晶體內部的靈敏體積，該靈敏體積一般很難得到，因此存在較大的誤差。另一方面，使用面源刻度技術，將面源在距離晶體不同高度進行實驗，確定面源峰計數率隨高度的變化關系f_s(h)，積分獲得氣體源探測效率，該方法在一定程度上解決了氣體源刻度問題，但實驗過程較為復雜，需要人為手動去完成刻度，不便于推廣應用。專利申請號為201020218895.3的γ譜儀樣品支架，其發明目的和原理與本發明完全不同，其基本結構為上下圓環，中間由支撐桿和套管組成，樣品測量高度通過墊墊圈控制。它主要是用來完成靜止體源樣品的測量，不能使放射源處于一個動態運動過程。?

發明內容

本發明目的是提供一種放射性面源自動模擬刻度氣體源探測效率裝置，其解決了現有無源刻度存在較大的誤差、面源刻度只能用來完成靜止體源樣品的測量的技術問題。?

本發明的技術解決方案是：?

一種放射性面源自動模擬刻度氣體源探測裝置，其特殊之處在于：?

包括放射源托盤1、支撐柱?2、套管?3、底座?4、漏氣孔?5、面源?8、CZT探測器9；?

所述放射源托盤1中間鏤空，其下底面與至少兩個支撐柱2固連；?

所述底座4中間鏤空，其上底面與至少兩個套管3固連；?

所述支撐柱2和套管3數量一致且位置一一對應，所述支撐柱2的外直徑與套管3的內直徑精確相等；?

所述套管3的底面中心設置有漏氣孔5；所述漏氣孔5與外界空氣相通；?

所述面源8放置在放射源托盤1中間位置，所述面源8的鍍層直徑小于放射源托盤1鏤空直徑，所述面源8的底襯直徑大于鏤空直徑；?

所述CZT探測器9放置在底座4的中心位置，所述CZT探測器9底面對角線長度需小于底座4鏤空直徑。?

還包括放置在套管3內的中間鏤空的支撐柱墊圈7。?

還包括設置在底座4下方的至少三個墊圈6。?

上述放射源托盤1、支撐柱2、套管3、底座4、墊圈6、支撐柱墊圈7的材料為不銹鋼，所述面源8的底襯材料為鋁。?

上述系統的放射性面源自動模擬刻度氣體源探測方法，其特征在于：包括以下步驟：?

1】根據要求的下降速率設定漏氣孔5的尺寸；?

2】將面源8放置在放射源托盤1中間位置，將CZT探測器9放置在底座4的中心位置；?

3】將所有支撐柱2放入相應的套管3中；?

4】當面源勻速下降時開始計時，探測器探測面源產生的總的峰計數；?

5】計算氣體源的探測效率：?

ϵV=NA·Pγ·t]]>

式中：?

N為面源在整個運動過程中在晶體內產生的總的峰計數；?

A為面源活度(Bq)；?

P_γ為γ射線發射幾率；?

t為面源下降時間(s)。?

上述步驟3還包括控制面源模擬氣體源的高度的步驟，其采用在套管3內放入不同高度的支撐柱墊圈7來調節支撐柱2深入套管3的深度的方式。?

本發明專利的優點是：?

1、本發明利用面源解決了氣體源的日常效率刻度問題，大大節省了放射性標準氣體源的制作成本。?