[發(fā)明專利]放射性面源自動模擬刻度氣體源探測效率裝置及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310294436.1
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103364818A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田自寧;歐陽曉平;李雪松;李安;宋紀(jì)文;劉金良
• 申請（專利權(quán)）人: 西北核技術(shù)研究所
• 主分類號: G01T1/167
• 分類號: G01T1/167
• 代理公司: 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 王少文

1.一種放射性面源自動模擬刻度氣體源探測裝置，其特征在于：

包括放射源托盤（1）、支撐柱（2）、套管（3）、底座（4）、漏氣孔（5）、面源（8）、CZT探測器（9）；

所述放射源托盤（1）中間鏤空，其下底面與至少兩個支撐柱（2）固連；

所述底座（4）中間鏤空，其上底面與至少兩個套管（3）固連；

所述支撐柱（2）和套管（3）數(shù)量一致且位置一一對應(yīng)，所述支撐柱（2）的外直徑與套管（3）的內(nèi)直徑精確相等；

所述套管（3）的底面中心設(shè)置有漏氣孔（5）；所述漏氣孔（5）與外界空氣相通；

所述面源（8）放置在放射源托盤（1）中間位置，所述面源（8）的鍍層直徑小于放射源托盤（1）鏤空直徑，所述面源（8）的底襯直徑大于鏤空直徑；

所述CZT探測器（9）放置在底座（4）的中心位置，所述CZT探測器（9）底面對角線長度需小于底座（4鏤空直徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射性面源自動模擬刻度氣體源探測裝置，其特征在于：還包括放置在套管（3）內(nèi)的中間鏤空的支撐柱墊圈（7）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放射性面源自動模擬刻度氣體源探測裝置，其特征在于：還包括設(shè)置在底座（4）下方的至少三個墊圈（6）。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放射性面源自動模擬刻度氣體源探測裝置，其特征在于：所述放射源托盤（1）、支撐柱（2）、套管（3）、底座（4）、墊圈（6）、支撐柱墊圈（7）的材料為不銹鋼，所述面源（8）的底襯材料為鋁。

5.基于權(quán)利要求1至4所述系統(tǒng)的放射性面源自動模擬刻度氣體源探測方法，其特征在于：包括以下步驟：

1】根據(jù)要求的下降速率設(shè)定漏氣孔（5）的尺寸；

2】將面源（8）放置在放射源托盤（1）中間位置，將CZT探測器（9）放置在底座（4）的中心位置；

3】將所有支撐柱（2）放入相應(yīng)的套管（3）中；

4】當(dāng)面源勻速下降時開始計時，探測器探測面源產(chǎn)生的總的峰計數(shù)；

5】計算氣體源的探測效率：

ϵV=NA·Pγ·t]]>

式中：

N為面源在整個運(yùn)動過程中在晶體內(nèi)產(chǎn)生的總的峰計數(shù)；

A為面源活度(Bq)；

Pγ為γ射線發(fā)射幾率；

t為面源下降時間(s)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述放射性面源自動模擬刻度氣體源探測方法，其特征在于：所述步驟3還包括控制面源模擬氣體源的高度的步驟，其采用在套管（3）內(nèi)放入不同高度的支撐柱墊圈（7）來調(diào)節(jié)支撐柱（2）深入套管（3）的深度的方式。