[發明專利]銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201310292628.9
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN104277849A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;馮小明
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/78
• 分類號: C09K11/78;H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

技術領域

本發明涉及發光材料領域，尤其涉及一種銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。

背景技術

薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的材料，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，仍未見報道。

發明內容

基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜、其制備方法、使用該銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的薄膜電致發光器件及其制備方法。

一種銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeInO₃：xSb³⁺,yTb³⁺；

其中，MeInO₃是基質，且x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu。

在優選的實施例中，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的厚度為60nm～400nm。

一種銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

根據MeInO₃：xSb³⁺,yTb³⁺各元素的化學計量比稱取Me₂O₃、In₂O₃、SbO₂和Tb₄O₇粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結制成靶材，其中，x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu；

將襯底及所述靶材與所述裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并調整所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調整工作氣體的流量為10sccm～40sccm，工作氣體的壓強為0.5Pa～5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為45mm～95mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，濺射功率為80～300W，在所述襯底上磁控濺射得到銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeInO₃：xSb³⁺,yTb³⁺，其中，x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu。

在優選的實施例中，燒結制成靶材的操作中，燒結的溫度為1250℃，制成的靶材的直徑為50mm，厚度為2mm。

在優選的實施例中，磁控濺射的操作中，工作氣體的流量為20sccm，工作氣體的壓強為3Pa，所述靶材與所述襯底的間距為60mm，所述襯底的溫度為500℃，所述濺射功率為150W。

在優選的實施例中，所述襯底為ITO襯底；所述工作氣體為氧氣。

在優選的實施例中，磁控濺射的操作中，通過控制磁控濺射的時間為10min～40min，得到厚度為60nm～400nm的銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜。

一種薄膜電致發光器件，包括依次層疊的基底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層為銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeInO₃：xSb³⁺,yTb³⁺；

其中，MeInO₃是基質，且x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu。

一種薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底包括層疊的基底和陽極層；

在所述陽極層上形成發光層，所述發光層為銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeInO₃：xSb³⁺,yTb³⁺，其中，MeInO₃是基質，且x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu；

在所述發光層上形成陰極層。

在優選的實施例中，所述發光層的制備包括以下步驟：