[發明專利]銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用無效
| 申請號： | 201310292628.9 | 申請日： | 2013-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN104277849A | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發明（設計）人： | 周明杰;陳吉星;王平;馮小明 | 申請（專利權）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/78 | 分類號： | C09K11/78;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 生啟;何平 |
| 地址： | 518100 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銻鋱共 摻雜 稀土 銦酸鹽 發光 薄膜 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeInO3：xSb3+,yTb3+；
其中，MeInO3是基質，且x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu。
2.如權利要求1所述的銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的厚度為60nm～400nm。
3.一種銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
根據MeInO3：xSb3+,yTb3+各元素的化學計量比稱取Me2O3、In2O3、SbO2和Tb4O7粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結制成靶材，其中，x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu；
將襯底及所述靶材與所述裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并調整所述真空腔體的真空度為1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；及
調整工作氣體的流量為10sccm～40sccm，工作氣體的壓強為0.5Pa～5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為45mm～95mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，濺射功率為80～300W，在所述襯底上磁控濺射得到銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeInO3：xSb3+,yTb3+，其中，x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu。
4.根據權利要求3所述的銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，燒結制成靶材的操作中，燒結的溫度為1250℃，制成的靶材的直徑為50mm，厚度為2mm。
5.根據權利要求3所述的銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，磁控濺射的操作中，工作氣體的流量為20sccm，工作氣體的壓強為3Pa，所述靶材與所述襯底的間距為60mm，所述襯底的溫度為500℃，所述濺射功率為150W。
6.根據權利要求3所述的銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為ITO襯底；所述工作氣體為氧氣。
7.根據權利要求3所述的銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，磁控濺射的操作中，通過控制磁控濺射的時間為10min～40min，得到厚度為60nm～400nm的銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜。
8.一種薄膜電致發光器件，包括依次層疊的基底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層為銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeInO3：xSb3+,yTb3+；
其中，MeInO3是基質，且x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu。
9.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供襯底，所述襯底包括層疊的基底和陽極層；
在所述陽極層上形成發光層，所述發光層為銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeInO3：xSb3+,yTb3+，其中，MeInO3是基質，且x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu；
在所述發光層上形成陰極層。
10.根據權利要求9所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光層的制備包括以下步驟：
根據MeInO3：xSb3+,yTb3+各元素的化學計量比稱取Me2O3、In2O3、SbO2和Tb4O7粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結制成靶材，其中，x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu；
將襯底及所述靶材與所述裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并調整所述真空腔體的真空度為1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；及
調整工作氣體的流量為10sccm～40sccm，工作氣體的壓強為0.5Pa～5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為45mm～95mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，濺射功率為80～300W，在所述襯底上磁控濺射得到銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜，所述銻鋱共摻雜稀土銦酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為MeInO3：xSb3+,yTb3+，其中，x為0.01～0.05，y為0.01～0.08，Me為Y、La、Gd或Lu。
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