[發明專利]釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201310292618.5
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN104277835A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;馮小明
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/74
• 分類號: C09K11/74;H01L33/50
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及發光材料領域，尤其涉及一種釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。

背景技術

薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的材料，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，仍未見報道。

發明內容

基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜、其制備方法、使用該釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的薄膜電致發光器件及其制備方法。

一種釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺；

其中，Me₅(AsO₄)₃Cl是基質，摻雜元素Sm是發光體系中的激活元素，在結構組成中是進入了As⁵⁺離子的晶格，且x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

在一個實施例中，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的厚度為60nm～400nm。

一種釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

根據Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺各元素的化學計量比稱取MeO，MeCl₂，As₂O₅和Sm₂O₃粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba；

提供襯底并對所述襯底進行預處理后，將所述靶材與所述襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并調整所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調整工作氣體的流量為10sccm～40sccm，工作氣體的壓強為0.5Pa～5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為45mm～95mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，脈沖激光的能量為80mJ～300mJ，在所述襯底上脈沖激光沉積得到釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺。

在一個實施例中，燒結制成靶材的操作中，溫度為1250℃；

調整所述真空腔體的真空度的操作中，所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa。

在一個實施例中，脈沖激光沉積的操作中，工作氣體的流量為20sccm，工作氣體的壓強為3Pa，所述靶材與所述襯底的間距為60mm，所述襯底的溫度為500℃，脈沖激光的能量為150mJ。

在一個實施例中，脈沖激光沉積的操作中，通過控制脈沖激光沉積的時間為10min～40min，得到厚度為60nm～400nm的釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜。

一種薄膜電致發光器件，包括依次層疊的基底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層為釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺；

其中，Me₅(AsO₄)₃Cl是基質，摻雜元素Sm是發光體系中的激活元素，在結構組成中是進入了As⁵⁺離子的晶格，且x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

一種薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底包括層疊的基底和陽極層；