[發明專利]釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201310292618.5
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN104277835A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;馮小明
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/74
• 分類號: C09K11/74;H01L33/50
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺；

其中，Me₅(AsO₄)₃Cl是基質，摻雜元素Sm是發光體系中的激活元素，在結構組成中是進入了As⁵⁺離子的晶格，且x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

2.如權利要求1所述的釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的厚度為60nm～400nm。

3.一種釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺各元素的化學計量比稱取MeO，MeCl₂，As₂O₅和Sm₂O₃粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba；

提供襯底并對所述襯底進行預處理后，將所述靶材與所述襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并調整所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調整工作氣體的流量為10sccm～40sccm，工作氣體的壓強為0.5Pa～5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為45mm～95mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，脈沖激光的能量為80mJ～300mJ，在所述襯底上脈沖激光沉積得到釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺。

4.根據權利要求3所述的釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，燒結制成靶材的操作中，溫度為1250℃；

調整所述真空腔體的真空度的操作中，所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa。

5.根據權利要求3所述的釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，脈沖激光沉積的操作中，工作氣體的流量為20sccm，工作氣體的壓強為3Pa，所述靶材與所述襯底的間距為60mm，所述襯底的溫度為500℃，脈沖激光的能量為150mJ。

6.根據權利要求3所述的釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，脈沖激光沉積的操作中，通過控制脈沖激光沉積的時間為10min～40min，得到厚度為60nm～400nm的釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜。

7.一種薄膜電致發光器件，包括依次層疊的基底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層為釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺；

其中，Me₅(AsO₄)₃Cl是基質，摻雜元素Sm是發光體系中的激活元素，在結構組成中是進入了As⁵⁺離子的晶格，且x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba。

8.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底包括層疊的基底和陽極層；

在所述陽極層上形成發光層，所述發光層為釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺，其中，Me₅(AsO₄)₃Cl是基質，摻雜元素Sm是發光體系中的激活元素，在結構組成中是進入了As⁵⁺離子的晶格，且x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba；

在所述發光層上形成陰極層。

9.根據權利要求8所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光層的制備包括以下步驟：

根據Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺各元素的化學計量比稱取MeO，MeCl₂，As₂O₅和Sm₂O₃粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為Mg、Ca、Sr或Ba；

對所述襯底進行預處理后，將所述靶材與所述襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設備的真空腔體，并調整所述真空腔體的真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調整工作氣體的流量為10sccm～40sccm，工作氣體的壓強為0.5Pa～5Pa，所述靶材與所述襯底的間距為45mm～95mm，所述襯底的溫度為250℃～750℃，脈沖激光的能量為80mJ～300mJ，在所述襯底的陽極層上脈沖激光沉積得到釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜，所述釤摻雜氯砷酸鹽發光薄膜的材料的化學通式為Me₅(AsO₄)₃Cl：xSm³⁺。