[發(fā)明專利]釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310292618.5 | 申請日: | 2013-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN104277835A | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周明杰;陳吉星;王平;馮小明 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/74 | 分類號: | C09K11/74;H01L33/50 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 摻雜 砷酸鹽 發(fā)光 薄膜 制備 方法 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜,其特征在于,所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me5(AsO4)3Cl:xSm3+;
其中,Me5(AsO4)3Cl是基質(zhì),摻雜元素Sm是發(fā)光體系中的激活元素,在結(jié)構(gòu)組成中是進(jìn)入了As5+離子的晶格,且x為0.01~0.05,Me為Mg、Ca、Sr或Ba。
2.如權(quán)利要求1所述的釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜,其特征在于,所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的厚度為60nm~400nm。
3.一種釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
根據(jù)Me5(AsO4)3Cl:xSm3+各元素的化學(xué)計量比稱取MeO,MeCl2,As2O5和Sm2O3粉體并混合均勻在900℃~1300℃下燒結(jié)制成靶材,其中,x為0.01~0.05,Me為Mg、Ca、Sr或Ba;
提供襯底并對所述襯底進(jìn)行預(yù)處理后,將所述靶材與所述襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設(shè)備的真空腔體,并調(diào)整所述真空腔體的真空度為1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa;及
調(diào)整工作氣體的流量為10sccm~40sccm,工作氣體的壓強(qiáng)為0.5Pa~5Pa,所述靶材與所述襯底的間距為45mm~95mm,所述襯底的溫度為250℃~750℃,脈沖激光的能量為80mJ~300mJ,在所述襯底上脈沖激光沉積得到釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜,所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me5(AsO4)3Cl:xSm3+。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法,其特征在于,燒結(jié)制成靶材的操作中,溫度為1250℃;
調(diào)整所述真空腔體的真空度的操作中,所述真空腔體的真空度為5.0×10-4Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法,其特征在于,脈沖激光沉積的操作中,工作氣體的流量為20sccm,工作氣體的壓強(qiáng)為3Pa,所述靶材與所述襯底的間距為60mm,所述襯底的溫度為500℃,脈沖激光的能量為150mJ。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法,其特征在于,脈沖激光沉積的操作中,通過控制脈沖激光沉積的時間為10min~40min,得到厚度為60nm~400nm的釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜。
7.一種薄膜電致發(fā)光器件,包括依次層疊的基底、陽極層、發(fā)光層以及陰極層,其特征在于,所述發(fā)光層為釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜,所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me5(AsO4)3Cl:xSm3+;
其中,Me5(AsO4)3Cl是基質(zhì),摻雜元素Sm是發(fā)光體系中的激活元素,在結(jié)構(gòu)組成中是進(jìn)入了As5+離子的晶格,且x為0.01~0.05,Me為Mg、Ca、Sr或Ba。
8.一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供襯底,所述襯底包括層疊的基底和陽極層;
在所述陽極層上形成發(fā)光層,所述發(fā)光層為釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜,所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me5(AsO4)3Cl:xSm3+,其中,Me5(AsO4)3Cl是基質(zhì),摻雜元素Sm是發(fā)光體系中的激活元素,在結(jié)構(gòu)組成中是進(jìn)入了As5+離子的晶格,且x為0.01~0.05,Me為Mg、Ca、Sr或Ba;
在所述發(fā)光層上形成陰極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,所述發(fā)光層的制備包括以下步驟:
根據(jù)Me5(AsO4)3Cl:xSm3+各元素的化學(xué)計量比稱取MeO,MeCl2,As2O5和Sm2O3粉體并混合均勻在900℃~1300℃下燒結(jié)制成靶材,其中,x為0.01~0.05,Me為Mg、Ca、Sr或Ba;
對所述襯底進(jìn)行預(yù)處理后,將所述靶材與所述襯底裝入脈沖激光沉積鍍膜設(shè)備的真空腔體,并調(diào)整所述真空腔體的真空度為1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa;及
調(diào)整工作氣體的流量為10sccm~40sccm,工作氣體的壓強(qiáng)為0.5Pa~5Pa,所述靶材與所述襯底的間距為45mm~95mm,所述襯底的溫度為250℃~750℃,脈沖激光的能量為80mJ~300mJ,在所述襯底的陽極層上脈沖激光沉積得到釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜,所述釤摻雜氯砷酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為Me5(AsO4)3Cl:xSm3+。
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