[發(fā)明專利]利用光二聚化學作用的光致抗蝕劑和使用該光致抗蝕劑的有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法

有效

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• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN103852974A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設計）人: 李鎮(zhèn)均;金英美;尹鐘根;許峻瑛;都義斗;李妍景;金秀炫
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司;仁荷大學博物館產(chǎn)學協(xié)力團
• 主分類號: G03F7/09
• 分類號: G03F7/09;G03F7/004;H01L51/56
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;解延雷

相關申請的交叉引用

本申請要求2012年11月30日遞交的韓國專利申請第10-2012-0138223號的優(yōu)先權，其整體以引用的方式并入本文中。

技術領域

本發(fā)明涉及利用光二聚化學作用的高度氟化的光致抗蝕劑和使用所述光致抗蝕劑的有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法。

背景技術

如今，為了克服陰極射線管諸如重量體積較大等諸多缺陷而開發(fā)出各種平板顯示裝置。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置（或LCD）、場發(fā)射顯示器（或FED）、等離子體顯示面板（或PDP）和電致發(fā)光器件（或EL）。

圖1是描述現(xiàn)有技術的有機發(fā)光二極管顯示器（或OLED）的結構的平面圖，該顯示器具有薄膜晶體管等有源開關元件。圖2是描述圖1所示的現(xiàn)有技術的OLED沿截線I-I’的結構的截面圖。

參考圖1和2，OLED顯示器包括具有薄膜晶體管ST和DT的薄膜晶體管(或TFT)基板，與薄膜晶體管ST和DT連接并由其驅動的有機發(fā)光二極管OLED，以及經(jīng)其中的有機粘合劑POLY(未示出)而與TFT基板接合的上蓋ENC。TFT基板包括開關薄膜晶體管ST、與開關薄膜晶體管ST連接的驅動薄膜晶體管DT和與驅動薄膜晶體管DT連接的有機發(fā)光二極管OLED。

在透明基板SUB上形成開關薄膜晶體管ST，其中柵極線GL與數(shù)據(jù)線DL相互交叉。開關薄膜晶體管ST選擇與開關薄膜晶體管ST連接的像素。開關薄膜晶體管ST包括由柵極線GL分枝出的柵極SG、與柵極SG重疊的半導體溝道層SA、源極SS和漏極SD。驅動薄膜晶體管DT驅動布置在由開關薄膜晶體管ST選定的像素處的有機發(fā)光二極管OLED的陽極ANO。驅動薄膜晶體管DT包括與開關薄膜晶體管ST的漏極SD連接的柵極DG、半導體溝道層DA、與驅動電流線VDD連接的源極DS和漏極DD。驅動薄膜晶體管DT的漏極DD與有機發(fā)光二極管OLED的陽極ANO連接。

作為一個實例，圖2示出了具有頂柵結構的薄膜晶體管。在該情況中，在基板SUB上首先形成開關薄膜晶體管ST和驅動薄膜晶體管DT的半導體溝道層SA和DA，以及覆蓋它們的柵絕緣層GI，然后在其上通過與半導體溝道層SA和DA的中心部分重疊而形成柵極SG和DG。隨后，在半導體溝道層SA和DA的兩側，源極SS和DS以及漏極SD和DD通過穿透絕緣層IN的接觸孔而與其連接。在絕緣層IN上形成源極SS和DS以及漏極SD和DD。

另外，在其中設置有像素區(qū)域的顯示區(qū)周圍的外部區(qū)域，排列有形成于柵極線GL一端的柵焊盤GP、形成于數(shù)據(jù)線DL一端的數(shù)據(jù)焊盤DP和形成于驅動電流線VDD一端的驅動電流焊盤VDP。設置鈍化層PAS以覆蓋具有開關薄膜晶體管ST和驅動薄膜晶體管DT的基板SUB的整個上表面。隨后，形成接觸孔以使柵極焊盤GP、數(shù)據(jù)焊盤DP、驅動電流焊盤VDP和驅動薄膜晶體管DT的漏極DD露出。在基板SUB內(nèi)的顯示區(qū)上涂覆平面層PL。平面層PL使得基板SUB的上表面的粗糙度處于更平滑的狀態(tài)，從而在平滑且平坦的表面狀態(tài)的基板SUB上涂覆構成有機發(fā)光二極管的有機材料。

在平面層PL上形成陽極ANO，以通過一個接觸孔與驅動薄膜晶體管DT的漏極DD連接。另一方面，在不具有平面層PL的顯示區(qū)的外部區(qū)域處形成分別與通過接觸孔而露出的柵焊盤GP、數(shù)據(jù)焊盤DP和驅動電流焊盤VDP連接的柵焊盤電極GPT、數(shù)據(jù)焊盤電極DPT和驅動電流電極VDPT。在基板SUB上形成覆蓋顯示區(qū)的除像素區(qū)之外的其他區(qū)域的岸壁(bank)BA。最后，在部分岸壁BA上可以形成間隔物SP。

上蓋ENC與TFT基板接合。在該情況中，優(yōu)選的是，通過使TFT基板和上蓋ENC之間存在有機粘合劑而使二者完全密封。柵焊盤電極GPT和數(shù)據(jù)焊盤電極DPT露出，并且可以經(jīng)由各種連接手段而與外部裝置相連。

隨著對有機發(fā)光二極管顯示器的需求增多，并且正開發(fā)出更為先進的制造技術，使得用于高分辨率和大面積的有機發(fā)光二極管顯示器的技術變得發(fā)展不足。迄今為止，已有了一些方法用于在大型玻璃基板上形成有機發(fā)光二極管，即，精細金屬掩模（或FMM）圖案化技術、噴墨印刷技術和激光圖案化技術。作為制造大面積有機發(fā)光二極管顯示器的替代性方法，還可以使用沉積一個大型白色有機發(fā)光二極管層并帶有圖案化濾色層的方法。