[發(fā)明專利]一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng)

在審

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• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN104278242A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉瑋;王守國
• 申請（專利權(quán)）人: 劉瑋;王守國
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C16/513
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng)，主要包括濺射室和沉積室，以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室，其特征為：真空腔室是通過閘板閥(104)連接，連接順序?yàn)椋旱谝活A(yù)真空室(110)-濺射室(120)-沉積室(130)-第二預(yù)真空室(140)，工件掛架臺(103)在濺射室(120)和沉積室(130)中可被電機(jī)帶動旋轉(zhuǎn)，該工件掛架臺可以通過磁力推桿(109)在腔室軌道上傳送，在待鍍膜的工件先放置到工件掛架臺上，并依次進(jìn)入第一預(yù)真空室(110)-濺射室(120)-沉積室(130)-第二預(yù)真空室(140)的鍍膜程序，該鍍膜程序由PLC實(shí)現(xiàn)自動控制。

2.如權(quán)利要求1所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng)，

主要包括濺射室和沉積室，以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室，其特征為：真空腔室是通過閘板閥(104)連接，連接順序?yàn)椋?/p>

第一預(yù)真空室(110)-濺射室(120)-沉積室(130)-第二預(yù)真空室(140)，兩個預(yù)真空室還分別設(shè)有真空室門(101)和放氣閥門(102)。

3.如權(quán)利要求1所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng)，主要包括濺射室和沉積室，以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室，其特征為：該系統(tǒng)所包括的濺射室(120)，其濺射靶電極(121)是放置在腔室的周圍，在其中心是放置工件掛架臺(103)，工件掛架臺上設(shè)有偏壓，濺射室的真空壁上采用水冷，在真空室壁上還設(shè)有氬氣進(jìn)入孔。

4.如權(quán)利要求1和3所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng)，主要包括濺射室和沉積室，以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室，其特征為：該系統(tǒng)所包括的濺射室(120)，其數(shù)量可為一個，如要濺射多種材料，就采用可為多個真空室，在同一個濺射室，是采用同一種濺射材料。

5.如權(quán)利要求1所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng)，主要包括濺射室和沉積室，以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室，其特征為：該系統(tǒng)所包括的沉積室(130)，其等離子體電極(131)也是放置在腔室的周圍，等離子體電極是采用介質(zhì)阻擋的放電電極結(jié)構(gòu)形式，在其中心也是放置工件掛架臺，在該沉積室壁上設(shè)有反應(yīng)氣體和氬氣的混合進(jìn)氣孔，該沉積室的真空壁外圍采用加熱帶加熱。

6.如權(quán)利要求1所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng)，主要包括濺射室和沉積室，以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室，其特征為：該系統(tǒng)工件掛架臺可以通過磁力推桿(109)在腔室軌道上傳送，在傳送過程中真空腔室之間的閘板閥是要打開，待從一個腔室傳送到另一個腔室后閘板閥關(guān)閉。

7.如權(quán)利要求1所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng)，主要包括濺射室和沉積室，以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室，其特征為：該系統(tǒng)鍍膜的工件先放置到工件掛架臺上，并依次進(jìn)入第一預(yù)真空室(110)-濺射室(120)-沉積室(130)-第二預(yù)真空室(140)的鍍膜程序，該鍍膜程序由PLC實(shí)現(xiàn)自動控制。