[發(fā)明專利]一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310291547.7 | 申請日: | 2013-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN104278242A | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉瑋;王守國 | 申請(專利權(quán))人: | 劉瑋;王守國 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C16/513 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100049 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 等離子體 鍍膜 替代 水電 系統(tǒng) | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng),尤其是指磁控濺射和等離子體氣相沉積是在一個彼此連接的真空室系統(tǒng)中,采用等離子體技術(shù)完成的物理干法鍍膜替代水電鍍的系統(tǒng)。?
【背景技術(shù)】
水電鍍由于所造成的高污染、能耗高,并造成大量的水資源的浪費,已經(jīng)被國家及各級地方政府所命令限制發(fā)展。在此背景下,人們迫切需要尋找一種替代傳統(tǒng)水電鍍的表而處理方法,使我們的傳統(tǒng)水電鍍行業(yè)進行技術(shù)升級。?
國內(nèi)外在真空鍍膜工藝、膜層檢測上均取得了很多進展。目前不能替代水電鍍的重要原因是:在高分子材料、玻璃材料、金屬、陶瓷材料的表面只進行磁控濺射真空鍍膜后,由于濺射薄膜的厚度有限,在其表面會不可避免的存在大量的針孔,因此這種工藝不能解決鍍膜后的耐腐蝕問題、以及結(jié)合力問題。至于目前有些個別公司所采用的磁控濺射后的等離子體沉積工藝,由于在兩個鍍膜工藝之間還有一個暴露空氣過程,因此就不可避免的帶來表面污染和表面氧化,這個污染層也會大大影響膜材與基材表面(如金屬、塑料、陶瓷、玻璃燈)的附著力。?
鑒于此,本發(fā)明采用磁控濺射和等離子體氣相沉積是在一個完整?的真空室系統(tǒng)中一次完成的設(shè)備和工藝,其中間過程是不暴露大氣的物理干法鍍膜來替代水電鍍的新技術(shù)。其優(yōu)點是:1)避免了只有磁控濺射所帶來的針孔問題;2)避免了間斷鍍膜所造成的薄膜表面氧化問題;3)解決了鍍膜后的不耐腐蝕問題;4)提高了薄膜與基底材料的結(jié)合力。?
【發(fā)明內(nèi)容】
為了達到上述目的,本發(fā)明的目的在于提供一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng),主要包括濺射室和沉積室,以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室,其特征為:真空腔室是通過閘板閥(104)連接,連接順序為:第一預(yù)真空室(110)-濺射室(120)-沉積室(130)-第二預(yù)真空室(140),工件掛架臺(103)在濺射室(120)和沉積室(130)中可被電機帶動旋轉(zhuǎn),該工件掛架臺可以通過磁力推桿(109)在腔室軌道上傳送,在待鍍膜的工件先放置到工件掛架臺上,并依次進入第一預(yù)真空室(110)-濺射室(120)-沉積室(130)-第二預(yù)真空室(140)的鍍膜程序,該鍍膜程序由PLC實現(xiàn)自動控制。?
所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng),主要包括濺射室和沉積室,以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室,其特征為:真空腔室是通過閘板閥(104)連接,連接順序為:第一預(yù)真空室(110)-濺射室(120)-沉積室(130)-第二預(yù)真空室(140),兩個預(yù)真空室還分別設(shè)有真空室門(101)和放氣閥門(102)。?
所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng),主要包括濺射室和沉積室,以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室,其特征?為:該系統(tǒng)所包括的濺射室(120),其濺射靶電極(121)是放置在腔室的周圍,在其中心是放置工件掛架臺(103),工件掛架臺上設(shè)有偏壓,濺射室的真空壁上采用水冷,在真空室壁上還設(shè)有氬氣進入孔。?
所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng),主要包括濺射室和沉積室,以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室,其特征為:該系統(tǒng)所包括的濺射室(120),其數(shù)量可為一個,如要濺射多種材料,就采用可為多個真空室,在同一個濺射室,是采用同一種濺射材料。?
所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng),主要包括濺射室和沉積室,以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室,其特征為:該系統(tǒng)所包括的沉積室(130),其等離子體電極(131)也是放置在腔室的周圍,等離子體電極是采用介質(zhì)阻擋的放電電極結(jié)構(gòu)形式,在其中心也是放置工件掛架臺,在該沉積室壁上設(shè)有反應(yīng)氣體和氬氣的混合進氣孔,該沉積室的真空壁外圍采用加熱帶加熱。?
所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng),主要包括濺射室和沉積室,以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室,其特征為:該系統(tǒng)工件掛架臺可以通過磁力推桿(109)在腔室軌道上傳送,在傳送過程中真空腔室之間的閘板閥是要打開,待從一個腔室傳送到另一個腔室后閘板閥關(guān)閉。?
所述的一種新型的等離子體鍍膜替代水電鍍系統(tǒng),主要包括濺射室和沉積室,以及分別與這兩個室相連接的兩個預(yù)真空室,其特征為:該系統(tǒng)鍍膜的工件先放置到工件掛架臺上,并依次進入第一預(yù)真空室?(110)-濺射室(120)-沉積室(130)-第二預(yù)真空室(140)的鍍膜程序,該鍍膜程序由PLC實現(xiàn)自動控制。?
本發(fā)明的主要用途是:在高分子材料、玻璃、以及金屬和陶瓷材料表面再鍍一層質(zhì)量好的功能薄膜,替代目前所普遍采用的水電鍍。?
【附圖說明】
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





