[發明專利]一種自適應抗軟錯誤存儲單元及存儲電路

有效

• 申請號: 201310291109.0
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN104282331B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 劉軍華;楊麗杰;洪陽;廖懷林
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙)11200
• 代理人: 余長江

1.一種自適應抗軟錯誤存儲單元，其特征在于包括一由兩個反相器構成的交叉耦合結構，兩所述反相器的漏端分別與一可變電容C1、C2連接，可變電容C1、C2的控制端與一參考電壓產生模塊的參考電壓輸出端連接；兩反相器的漏端分別與一選通管的漏端連接，兩選通管的柵極分別與字線WL連接，一選通管的源端與位線BL連接，另一選通管的源端與位線NBL連接；其中，所述參考電壓產生模塊輸出的參考電壓VB與存儲單元的工作電壓VDD正相關。

2.如權利要求1所述的自適應抗軟錯誤存儲單元，其特征在于所述參考電壓產生模塊中設有一閾值電壓；當VDD高于該閾值電壓時，所述參考電壓產生模塊輸出參考電壓VB為設定的高電壓，在VDD低于該閾值電壓時，所述參考電壓產生模塊輸出參考電壓VB為設定的低電壓。

3.如權利要求1或2所述的自適應抗軟錯誤存儲單元，其特征在于所述參考電壓產生模塊為一數模轉換電路。

4.如權利要求1所述的自適應抗軟錯誤存儲單元，其特征在于所述可變電容為MOS管，其中MOS管的柵極作為可變電容的一端與所述反相器的漏端連接，MOS管的源端和漏端連接在一起作為可變電容的另一端與所述參考電壓產生模塊的參考電壓輸出端連接。

5.如權利要求1所述的自適應抗軟錯誤存儲單元，其特征在于所述可變電容為一PN結可變電容。

6.一種存儲電路，其特征在于包括多個自適應抗軟錯誤存儲單元，每一所述自適應抗軟錯誤存儲單元包括一由兩個反相器構成的交叉耦合結構，兩所述反相器的漏端分別與一可變電容C1、C2連接，可變電容C1、C2的控制端與一參考電壓產生模塊的參考電壓輸出端連接；所述參考電壓產生模塊輸出的參考電壓VB與存儲單元的工作電壓VDD正相關；其中，每一所述自適應抗軟錯誤存儲單元的兩反相器的漏端分別與一選通管的漏端連接，兩選通管的柵極分別與字線WL連接，一選通管的源端與位線BL連接，另一選通管的源端與位線NBL連接。

7.如權利要求6所述的存儲電路，其特征在于所述參考電壓產生模塊中設有一閾值電壓；當VDD高于該閾值電壓時，所述參考電壓產生模塊輸出參考電壓VB為設定的高電壓，在VDD低于該閾值電壓時，所述參考電壓產生模塊輸出參考電壓VB為設定的低電壓。

8.如權利要求6或7所述的存儲電路，其特征在于所述可變電容為MOS管，其中MOS管的柵極作為可變電容的一端與所述反相器的漏端連接，MOS管的源端和漏端連接在一起作為可變電容的另一端與所述參考電壓產生模塊的參考電壓輸出端連接。

9.如權利要求6或7所述的存儲電路，其特征在于所述可變電容為一PN結可變電容；所述選通管為MOS管；所述參考電壓產生模塊為一數模轉換電路。