[發明專利]一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法有效
| 申請號： | 201310289793.9 | 申請日： | 2013-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN103344471A | 公開（公告）日： | 2013-10-09 |
| 發明（設計）人： | 譚毅;劉瑤;劉鑫業 | 申請（專利權）人： | 青島隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 266234 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 調整 硝酸 濃度 多晶 預處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法，其特征在于，步驟如下：
（1）稱取多晶硅樣品0.1-0.5g于PTFE燒杯中；
（2）將1%甘露醇溶液0.3-1.0ml加入PTFE燒杯使多晶硅樣品浸潤；
（3）將質量分數為49%的氫氟酸3.0-5.0ml加入PTFE燒杯中；
（4）加入0.5-1.0ml質量分數為35%的硝酸，再加入1.0-2.0ml質量分數為70%的硝酸，反應至多晶硅樣品完全消溶；
（5）控制溫度使硅揮發，定容后調節酸度，檢測雜質含量，操作結束。
2.根據權利要求1所述的一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法，其特征在于步驟（4）中硝酸的加入速度為0.2-0.5ml/min。
3.根據權利要求1所述的一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法，其特征在于步驟（5）中控制溫度在80-100℃。
4.根據權利要求1所述的一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法，其特征在于步驟（5）中酸度為5%。
5.根據權利要求1所述的一種調整硝酸滴加濃度的多晶硅預處理方法，其特征在于步驟（5）采用ICP-AES或ICP-MS檢測多晶硅中的雜質含量。
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