[發明專利]一種提高假單孢菌石油烴降解能力的方法

無效

• 申請號: 201310289198.5
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN103333881A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 蔡長龍;廉振民;梁海鋒;馬睿;彭渝麗;劉正利;嚴一心
• 申請（專利權）人: 西安工業大學
• 主分類號: C12N13/00
• 分類號: C12N13/00;C12N15/01
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114
• 代理人: 黃秦芳

技術領域

本發明涉及微生物育種領域，具體為一種提高假單孢菌石油烴降解能力的方法。

背景技術

石油是一種成分十分復雜的天然有機化合物的混合物，主要成分為液態烴，石油烴類化合物是一種化學高分子有機物，很多烴都具有毒性，對環境污染嚴重，采取有效措施進行治理勢在必行。采用假單孢菌降解石油烴是一種有效的方法，但目前主要問題是由于其降解效率低而導致降解成本高，變異頻譜窄，變異率低，操作較復雜。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于提供一種利用離子輻射方法提高假單孢菌石油烴降解能力的方法，從而實現假單孢菌在石油烴降解方面的實際應用。

為解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案是：一種提高假單孢菌石油烴降解能力的方法，其特別之處在于：采用離子輻射系統產生的離子束注入假單孢菌，使假單孢菌的石油烴降解特性得以提高，具體包括以下步驟：

步驟一：在無菌水中稀釋假單孢菌，取出0.1-0.3ml均勻涂布于培養皿中；

步驟二：對離子輻射系統的輔真空室進行消毒，將準備好的樣品放入離子輻射真空系統輔真空室中；

步驟三：打開輔真空室和主真空室之間的閘板閥，快速抽取真空到8*10^-4-2*10^-3Pa；

步驟四：開啟氮離子輻射源，調整離子輻射工藝參數；

步驟五：進行氮離子輻射，完成后關閉氮離子輻射源，關閉閘板閥，給輔真空室充氣，取出假單孢菌培養皿；

步驟六：采用常規微生物培養方法進行假單孢菌的培育，并進行石油烴降解能力的測試。

所述離子輻射源為氣體離子源。

所述離子輻射工藝參數包括離子能量和注入劑量，其范圍分別為10Kev-40Kev和1*10¹⁵?ions/mm²?-4*10¹⁶ions/mm²。

與現有技術相比，本發明的有益效果為：

1.?本發明采用的離子輻射誘變育種，其離子能量和注入劑量方便調整和控制，適應性強；

2.本發明采用的離子輻射誘變育種，變異頻率高，一般要比自然變異頻率高1000倍以上；

3.本發明采用的離子輻射誘變育種，變異譜寬，即變異的類型多，能夠產生自然界從未有過的新類型；?

4.?本發明采用的離子輻射誘變育種，變異穩定性好，可以大大縮短育種周期；

5.?本發明采用的離子輻射誘變育種方法簡單，操作方便，普通技術人員均可勝任，而且穩定可靠。

具體實施方式

本發明所涉及的一種提高假單孢菌石油烴降解能力的方法，采用離子輻射系統產生的離子束注入假單孢菌，使假單孢菌的石油烴降解特性得以提高，具體包括以下步驟：

步驟一：在無菌水中稀釋假單孢菌，取出0.1-0.3ml均勻涂布于培養皿中；

步驟二：對離子輻射系統的輔真空室進行消毒，將準備好的樣品放入離子輻射真空系統輔真空室中；

步驟三：打開輔真空室和主真空室之間的閘板閥，快速抽取真空到8*10^-4-2*10^-3Pa；

步驟四：開啟氮離子輻射源，調整離子輻射工藝參數；

步驟五：進行氮離子輻射，完成后關閉氮離子輻射源，關閉閘板閥，給輔真空室充氣，取出假單孢菌培養皿；

步驟六：采用常規微生物培養方法進行假單孢菌的培育，并進行石油烴降解能力的測試。

所述離子輻射源為氣體離子源。

所述離子輻射工藝參數包括離子能量和注入劑量，其范圍分別為10Kev-40Kev和1*10¹⁵?ions/mm²?-4*10¹⁶ions/mm²。

實施例一

1）在無菌水中稀釋假單孢菌，取出0.1ml溶液均勻涂布于培養皿中；

2）將離子輻射系統的輔真空室用酒精進行消毒，將準備好的樣品放入離子輻射真空系統的輔真空室中；

3）打開輔真空室和主真空室之間的閘板閥，快速抽取輔真空室至8*10^-4Pa；

4）開啟氮離子輻射源，調整離子能量和輻射劑量分別為20Kev和0.75*1016?ions/mm²；

5）進行氮離子輻射，完成后關閉氮離子輻射源，關閉閘板閥，給輔真空室充氣，取出假單孢菌培養皿；