[發明專利]一種提高假單孢菌石油烴降解能力的方法無效
| 申請號: | 201310289198.5 | 申請日: | 2013-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN103333881A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 蔡長龍;廉振民;梁海鋒;馬睿;彭渝麗;劉正利;嚴一心 | 申請(專利權)人: | 西安工業大學 |
| 主分類號: | C12N13/00 | 分類號: | C12N13/00;C12N15/01 |
| 代理公司: | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人: | 黃秦芳 |
| 地址: | 710032 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 假單孢菌 石油 降解 能力 方法 | ||
1.一種提高假單孢菌石油烴降解能力的方法,其特征在于:采用離子輻射系統產生的離子束注入假單孢菌,使假單孢菌的石油烴降解特性得以提高,具體包括以下步驟:
步驟一:在無菌水中稀釋假單孢菌,取出0.1-0.3ml均勻涂布于培養皿中;
步驟二:對離子輻射系統的輔真空室進行消毒,將準備好的樣品放入離子輻射真空系統輔真空室中;
步驟三:打開輔真空室和主真空室之間的閘板閥,快速抽取真空到8*10-4-2*10-3Pa;
步驟四:開啟氮離子輻射源,調整離子輻射工藝參數;
步驟五:進行氮離子輻射,完成后關閉氮離子輻射源,關閉閘板閥,給輔真空室充氣,取出假單孢菌培養皿;
步驟六:采用常規微生物培養方法進行假單孢菌的培育,并進行石油烴降解能力的測試。
2.根據權利要求1中所述的一種提高假單孢菌石油烴降解能力的方法,其特征在于:所述離子輻射源為氣體離子源。
3.根據權利要求1或2所述的一種提高假單孢菌石油烴降解能力的方法,其特征在于:所述離子輻射工藝參數包括離子能量和注入劑量,其范圍分別為10Kev-40Kev和1*1015?ions/mm2?-4*1016ions/mm2。
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