[發明專利]光器件以及光器件的加工方法

有效

• 申請號: 201310287638.3
• 申請日: 2013-07-10
• 公開（公告）號: CN103545409B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 岡村卓;荒川太郎
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00;B23K26/36;B23K26/40
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

本發明提供一種光器件以及光器件的加工方法，其能夠提升光的取出效率。一種光器件，其特征在于，具有：具有發光層的四邊形的表面；與該表面平行的四邊形的背面；以及連接該表面和該背面的第1至第4側面，第1側面相對于該表面的垂直線傾斜第1角度，該第1側面對面的第2側面相對于該垂直線傾斜第2角度，并且第3側面相對于該垂直線傾斜第3角度，該第3側面對面的4側面相對于該垂直線傾斜第4角度。

技術領域

本發明涉及光器件以及光器件的加工方法。

背景技術

在激光二極管（LD）或發光二極管（LED）等光器件的制造過程中，制造出在由藍寶石或碳化硅（SiC）等構成的結晶成長用基板的上表面例如通過外延成長而層疊有具有多個光器件的發光層（外延層）的光器件晶片。

在由設定為格子狀的分割預定線劃分成的各區域中形成LD、LED等光器件，通過沿著分割預定線來分割光器件晶片而實現單片化，從而制造出一個個光器件芯片。

以往，作為沿著分割預定線來分割光器件晶片的方法，公知以下方法：沿著分割預定線照射相對于晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光束從而形成激光加工槽，通過對晶片施加外力而以激光加工槽為起點來斷裂光器件晶片（參照日本特開平10-305420號公報）。

另一方面還提出了以下方法：為了提升光器件的亮度，將聚光點對準晶片的內部照射相對于光器件晶片具有透射性的波長的脈沖激光光束，從而在內部形成沿著分割預定線的改性層，對強度由于該改性層而降低了的分割預定線施加外力來分割光器件晶片（例如，參照日本特開2008-006492號公報）。

現有技術文獻

專利文獻1：日本特開平10-305420號公報

專利文獻2：日本特開2008-006492號公報

LED等光器件要求更高的亮度，并要求光的取出效率的提升。在以往的光器件的加工方法中，由于相對于光器件晶片大致垂直地入射激光光束，以激光加工槽或改性層為分割起點而將光器件晶片分割為一個個光器件芯片，所以光器件芯片的側面被加工成相對于形成在表面的發光層大致垂直，光器件構成長方體形狀。

因此，從發光層射出的光在側面全反射的比例變高，在重復全反射中最終在光器件芯片的內部削光的比例變高。

發明內容

本發明是鑒于這樣的方面而做出的發明，其目的在于提供能夠提升光取出效率的光器件和光器件的加工方法。

根據本發明第1方面所記載的發明，提供了一種光器件，其特征在于，具有：具有發光層的四邊形的表面；與該表面平行的四邊形的背面；以及連接該表面和該背面的第1側面至第4側面，第1側面相對于該表面的垂直線傾斜第1角度，該第1側面對面的第2側面相對于該垂直線傾斜第2角度，并且第3側面相對于該垂直線傾斜第3角度，該第3側面對面的第4側面相對于該垂直線傾斜第4角度。

優選的是，光器件的從表面到背面的截面形狀為平行四邊形或者梯形。優選的是第1角度至第4角度全部設定為同一角度。

根據本發明第5方面所記載的發明，提供了本發明第1方面至第4方面中的任一項所記載的光器件的加工方法，其特征在于，具有：晶片準備步驟，準備光器件晶片，上述光器件晶片在表面具有發光層并設定有多條交叉的分割預定線，在該發光層的由該分割預定線劃分出的各區域分別具有光器件；傾斜面設定步驟，在光器件晶片設定與上述光器件的上述第1側面至第4側面相對應的多個傾斜面；以及激光加工步驟，在實施了上述傾斜面設定步驟后，沿著上述傾斜面照射相對于光器件晶片具有吸收性的波長的激光光束，從而形成沿著上述傾斜面的激光加工槽。

優選的是，光器件的加工方法在實施了激光加工步驟后還具有分割步驟，在該分割步驟中，對光器件晶片施加外力以將光器件晶片分割為一個個光器件。