[發(fā)明專利]制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310287574.7 | 申請日： | 2013-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN103408018A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 石何武;嚴(yán)大洲;肖榮暉;湯傳斌;毋克力;楊永亮;鄭紅梅 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國恩菲工程技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/035 | 分類號： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志東 |
| 地址： | 100038*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制備 多晶 還原 生產(chǎn) 混合 供料 方法 | ||
1.一種制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的方法，其特征在于，
將氫氣、三氯氫硅液體和二氯二氫硅液體的混合物進(jìn)行汽化過程，以便獲得多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比為40:10:0.1～1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述汽化過程是在0攝氏度～100攝氏度的溫度以及0.8MPa的壓力下進(jìn)行的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述汽化過程是在45攝氏度～47攝氏度下進(jìn)行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括將所述還原生產(chǎn)用混合氣供料引入多晶硅還原爐中用于制備多晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在將所述還原生產(chǎn)用混合氣供料引入多晶硅還原爐中之前，對所述還原生產(chǎn)用混合氣供料進(jìn)行預(yù)熱處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，將所述還原生產(chǎn)用混合氣供料預(yù)熱升溫不低于20攝氏度。
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