[發(fā)明專利]晶圓級封裝構(gòu)造

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310287219.X
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN103367315A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杭特·約翰
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述晶圓級封裝構(gòu)造包含：

一半導(dǎo)體組件，具有一有源表面，所述有源表面設(shè)有至少一導(dǎo)電接墊；

一保護(hù)層，覆蓋在所述有源表面及導(dǎo)電接墊上，且部分裸露所述導(dǎo)電接墊；

一第一介電層，覆蓋在所述保護(hù)層上，且部分裸露所述導(dǎo)電接墊；

一重分布電路層，設(shè)置在所述第一介電層上，且包含：一導(dǎo)線部，其一端電性連接所述導(dǎo)電接墊；一扇形部，自所述導(dǎo)線部另一端延伸而成；及一墊片部，連接所述扇形部；

一第二介電層，覆蓋在所述第一介電層及重分布電路層上，且部分裸露所述墊片部，以定義一重分布焊墊區(qū)；及

至少一金屬凸塊，設(shè)置在所述第二介電層及重分布焊墊區(qū)上，所述金屬凸塊包含：一接觸面，與所述重分布焊墊區(qū)連接；及一端緣，位于所述接觸面一側(cè)且面對所述扇形部，所述端緣與扇形部之間具有一用以分散電流的緩沖距離。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述墊片部為U形。

3.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述端緣為弧形。

4.如權(quán)利要求2所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述緩沖距離至少為所述接觸面的一最大寬度的1/8。

5.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述端緣為直線形。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述端緣的直線長度至少為所述接觸面的一最大寬度的1/12。

7.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述導(dǎo)線部的寬度為18微米或以下。

8.一種晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述晶圓級封裝構(gòu)造包含：

一半導(dǎo)體組件，具有一有源表面；以及

一重布線層，覆蓋在所述有源表面上，且具有一重分布電路層，所述重分布電路層包含：

一導(dǎo)線部；

一扇形部，自所述導(dǎo)線部延伸而成；及

一墊片部，連接所述扇形部，其中所述墊片部上定義有一重分布焊墊區(qū)，所述重分布焊墊區(qū)靠近所述扇形部的一側(cè)與所述扇形部之間具有一用以分散電流的緩沖距離。

9.如權(quán)利要求8所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述端緣為弧形。

10.如權(quán)利要求8所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于：所述端緣為直線形。