[發明專利]有源元件基板與其制作方法及顯示器的制作方法有效
| 申請號: | 201310286554.8 | 申請日: | 2013-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN103337480A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 柯聰盈 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/02 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張浴月;張龍哺 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 元件 與其 制作方法 顯示器 | ||
技術領域
本發明涉及一種有源元件基板。
背景技術
近年來,業界推出了以可撓性材料作為有源元件基板材質的顯示器,由于這種顯示器本身可彎折,因此可用來取代傳統的紙張或廣告看板。
由于有源元件基板的材質具可撓性,因此為了方便工藝進行,制造者需要將可撓性基板固定在玻璃載板上后再形成有源元件,最后再將可撓性基板自玻璃載板剝離,即完成有源元件基板。然而當剝離可撓性基板時,可撓性基板與玻璃載板之間的吸附力可能會導致可撓性基板不易剝離,甚至可能會產生有源元件受損等狀況,因此如何改善有源元件基板的剝離工藝成為業界需解決的問題之一。
發明內容
為克服現有技術的缺陷,本發明提供一種有源元件基板,包含可撓性基板、無機離型層(de-bonding?layer)及至少一有源元件。可撓性基板具有相對的第一表面與第二表面,其中第一表面為平坦表面。無機離型層覆蓋可撓性基板的第一表面。無機離型層的材質為金屬、金屬氧化物或上述組合。有源元件位于可撓性基板的第二表面上。
在一或多個實施方式中,無機離型層的材質為金屬,且無機離型層的厚度為約0.001至1微米,其中無機離型層的材質為金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鉛(Pd)、銠(Rh)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋅(Zn)、錫(Sn)或上述組合。
在一個或多個實施方式中,無機離型層的材質為金屬氧化物,且無機離型層的厚度為約0.001至1微米,其中無機離型層的材質為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、TiN、In2O3:Sn(ITO)、ZnO:In(IZO)、ZnO:Ga(GZO)、ZnO:Al(AZO)、SnO2:F、TiO2:Ta、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4或上述組合。
在一個或多個實施方式中,可撓性基板的材質為聚酰亞胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚酰亞胺(polyetherimide,PEI)、聚苯并咪唑(poly(p-phenylene?benzobisimidazole),PBI)、聚苯并惡唑(poly(p-phenylene?benzobisoxazole),PBO)、聚對苯二甲酰對苯二胺(poly(p-phenylene?terephthalamide),PPTA)或上述組合。
本發明的另一態樣提供一種有源元件基板的制作方法,包含下列步驟(應了解到,在本實施方式中所提及的步驟,除特別敘明其順序的之外,均可依實際需要調整其前后順序,甚至可同時或部分同時執行):提供載板;形成有機離型層于載板上;形成無機離型層于有機離型層上,其中無機離型層的材質為金屬、金屬氧化物或上述組合;形成可撓性基板于無機離型層上,其中可撓性基板與無機離型層鄰接的一面為平坦表面;以及形成至少一有源元件于可撓性基板上。
在一個或多個實施方式中,上述的制作方法還包含切割可撓性基板與無機離型層,以形成包含無機離型層、可撓性基板與有源元件的疊層結構;以及分開無機離型層與有機離型層。
在一個或多個實施方式中,上述的制作方法還包含切割有機離型層。
在一個或多個實施方式中,有機離型層的形成方法為物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、旋轉涂布法、網版印刷法或噴墨涂布法。有機離型層的材質為聚對二甲苯(Parylene)、硅烷(Silane)、硅氧烷(Siloxane)、硅氟烷(FAS)或上述組合,無機離型層的形成方法為物理氣相沉積法、化學氣相沉積法或濺鍍法,上述的制作方法還包含在形成無機離型層前,對有機離型層進行加熱退火。
本發明的再一態樣提供一種顯示器的制作方法,包含上述的有源元件基板的制作方法,以及形成至少一顯示元件于至少一有源元件上。
在一個或多個實施方式中,于形成顯示元件于有源元件上的步驟前或形成顯示元件于有源元件上的步驟后,還包含切割可撓性基板與無機離型層以分開有機離型層與無機離型層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





