[發明專利]高壓NPN器件及其版圖結構有效
| 申請號： | 201310286451.1 | 申請日： | 2013-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN103337514B | 公開（公告）日： | 2016-11-30 |
| 發明（設計）人： | 吳健 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/08;H01L29/73 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 npn 器件 及其 版圖 結構 | ||
1.一種高壓NPN器件，形成于半導體襯底上，其特征在于，包括：
發射極區、集電極區、基極區和P型雜質區；
所述發射極區、集電極區、基極區和P型雜質區均通過淺溝槽隔離區相互隔離；
所述P型雜質區位于所述集電極區和所述基極區之間，并與所述半導體襯底相接。
2.如權利要求1所述的高壓NPN器件，其特征在于，所述半導體襯底具有高電壓N阱、第一P阱、第二p阱和埋層；
所述高電壓N阱包圍所述第一P阱和第二P阱；
所述埋層位于所述基極區的下面，且與所述高電壓N阱中遠離所述基極區的一側接觸。
3.如權利要求2所述的高壓NPN器件，其特征在于，所述集電極區包括第一重摻雜區和位于第一重摻雜區下面的高電壓N阱；
所述發射極區包括第二重摻雜區和位于第二重摻雜區下面的第一P阱；
所述基極區包括第三重摻雜區和位于第三重摻雜區下面的第一P阱；
所述P型雜質區包括第四重摻雜區和位于第四重摻雜區下面的第二P阱。
4.如權利要求3所述的高壓NPN器件，其特征在于，所述埋層、第一重摻雜區和第二重摻雜區均為N型導電型，所述第三重摻雜區和第四重摻雜區均為P型導電型。
5.如權利要求2所述的高壓NPN器件，其特征在于，所述高電壓N阱為輕攙雜N型雜質區。
6.如權利要求2所述的高壓NPN器件，其特征在于，所述埋層的寬度與所述基極區兩端的距離相等。
7.一種高壓NPN器件的版圖結構，其特征在于，包括：
高電壓N阱、發射極區、集電極區、基極區、P型雜質區和淺溝道隔離區；
所述發射極區、集電極區、基極區和淺溝道隔離區均設置于所述高電壓N阱的內部；
所述基極區和所述發射極區的中心在同一位置，且所述基極區圍繞于所述發射極區；
所述P型雜質區位于所述集電極區和所述基極區之間，且所述P型雜質區的寬度大于高電壓N阱的寬度；
所述發射極區、集電極區、基極區、P型雜質區均被所述淺溝道隔離區所圍繞。
8.如權利要求7所述的高壓NPN器件的版圖結構，其特征在于，所述集電極區和發射極區均為N型導電型，所述基極區為P型導電型。
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