[發(fā)明專利]檢測(cè)通孔蝕刻不足和通孔缺失缺陷的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310286389.6
• 申請(qǐng)日: 2013-07-09
• 公開（公告）號(hào): CN103367192A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范榮偉;龍吟;倪棋梁;陳宏璘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種檢測(cè)通孔蝕刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于包括：

在硅襯底上實(shí)現(xiàn)N阱中布置PMOS器件的結(jié)構(gòu)；

在晶圓上參照正常工藝制程生長金屬硅化物，形成阻擋層，并沉積金屬間的第一介電層和第二介電層；

在硬掩膜蝕刻工藝中，在第二介電層上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射層，在抗反射層上布置硬掩膜蝕刻光罩，其中采用通孔蝕刻的光罩作為硬掩膜蝕刻光罩；

利用硬掩膜蝕刻光罩對(duì)抗反射層、硅氧化物、硬掩膜進(jìn)行完全蝕刻，并且部分蝕刻第二介電層；

去除硬掩膜蝕刻光罩，并對(duì)抗反射層、硅氧化物、硬掩膜和第二介電層中填充與抗反射層相同的材料；

利用通孔蝕刻光罩執(zhí)行蝕刻，直到部分地蝕刻第一介電層，其中通孔蝕刻光罩的關(guān)鍵尺寸小于硬掩膜蝕刻光罩的關(guān)鍵尺寸，隨后去除通孔蝕刻光罩；

去除抗反射層以及所填充的與抗反射層相同的材料；

執(zhí)行蝕刻，直到蝕刻透阻擋層；

進(jìn)行填銅與銅的平坦化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)通孔蝕刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于，通過無光阻離子注入將晶圓表面注入N型阱區(qū)離子與P型源漏離子，在硅襯底上實(shí)現(xiàn)N阱中布置PMOS器件的結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)通孔蝕刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于，通孔蝕刻光罩的關(guān)鍵尺寸不大于硬掩膜蝕刻光罩的關(guān)鍵尺寸的二分之一。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)通孔蝕刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于，通孔蝕刻光罩的關(guān)鍵尺寸不大于硬掩膜蝕刻光罩的關(guān)鍵尺寸的三分之一。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的檢測(cè)通孔蝕刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于所述方法用于檢測(cè)55nm后段銅連接層的通孔蝕刻不足和通孔缺失缺陷。

6.一種采用根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的檢測(cè)通孔蝕刻不足和通孔缺失缺陷的方法的半導(dǎo)體制造方法。